氮化镓单晶的生长方法,氮化镓单晶基板及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610087785.6

申请日：

2000-09-26

公开(公告)号：

CN1870223A

公开(公告)日：

2006-11-29

发明(设计)人：

元木健作冈久拓司松本直树

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L21205

IPC分类号：

H01L3300 C30B2502 C30B2940 C23C1634

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

封新琴;巫肖南

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-04-08	授权	授权
2006-11-29	公开	公开
2016-11-09	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101687278844 IPC(主分类):H01L 21/205 专利号:ZL2006100877856 申请日:20000926 授权公告日:20090408 终止日期:20150926
2007-01-24	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

氮化镓单晶的生长方法,氮化镓单晶基板及其制造方法 [P].

元木健作 ;

冈久拓司 ;

松本直树 .

中国专利 :CN1908251B ,2007-02-07

[2]

氮化镓单晶的生长方法和氮化镓单晶 [P].

岩井真 ;

今井克宏 ;

今枝美能留 .

中国专利 :CN1938457B ,2007-03-28

[3]

氮化镓单晶基板以及氮化镓单晶基板的制造方法 [P].

佐藤隆 ;

藤本哲尔 ;

北村寿朗 ;

柴田真佐知 .

日本专利 :CN120505707A ,2025-08-19

[4]

氮化镓单晶基板以及氮化镓单晶基板的制造方法 [P].

藤本哲尔 ;

佐藤隆 ;

铃木贵征 ;

北村寿朗 ;

柴田真佐知 .

日本专利 :CN120505705A ,2025-08-19

[5]

氮化镓单晶基板以及氮化镓单晶基板的制造方法 [P].

佐藤隆 ;

藤本哲尔 ;

北村寿朗 ;

柴田真佐知 .

日本专利 :CN120505706A ,2025-08-19

[6]

氮化镓单晶生长方法 [P].

孟静 .

中国专利 :CN108796611A ,2018-11-13

[7]

单晶氮化镓基板，单晶氮化镓长晶方法及单晶氮化镓基板制造方法 [P].

元木健作 ;

弘田龙 ;

冈久拓司 ;

中畑成二 .

中国专利 :CN1411035A ,2003-04-16

[8]

氮化镓单晶基板及其制造方法 [P].

平松和政 ;

三宅秀人 ;

坊山晋也 ;

前田尚良 ;

小野善伸 .

中国专利 :CN1759469A ,2006-04-12

[9]

单晶氮化镓基板及其制造方法 [P].

朴起延 ;

金华睦 ;

徐大雄 ;

孙暎丸 .

中国专利 :CN103855264A ,2014-06-11

[10]

单晶氮化镓基板及其生长方法与制造方法 [P].

元木健作 ;

冈久拓司 ;

中畑成二 ;

弘田龙 ;

上松康二 .

中国专利 :CN1405903A ,2003-03-26

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