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氮化镓衬底、氮化镓单晶层及其制造方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202210532921.7
申请日：
2022-05-17
公开(公告)号：
CN114892264B
公开(公告)日：
2024-03-05
发明(设计)人：
张林 魏曙亮
申请人：
镓特半导体科技（铜陵）有限公司
申请人地址：
244000 安徽省铜陵市经济技术开发区天门山北道3139号
IPC主分类号：
C30B23/00
IPC分类号：
C30B29/40 C30B25/16
代理机构：
铜陵市嘉同知识产权代理事务所(普通合伙) 34186
代理人：
吴晨亮
法律状态：
授权
国省代码：
安徽省 铜陵市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2024-03-05 授权 授权
共 50 条
[1]
氮化镓衬底、氮化镓单晶层及其制造方法 [P]. 
张林 ;
魏曙亮 .
中国专利 :CN114892264A ,2022-08-12
[2]
氮化镓衬底、氮化镓单晶层及其制造方法 [P]. 
张林 ;
魏曙亮 .
中国专利 :CN115233309B ,2024-01-12
[3]
氮化镓单晶衬底的制备方法 [P]. 
卢敬权 ;
庄文荣 ;
孙明 .
中国专利 :CN111681946B ,2020-09-18
[4]
制造氮化镓衬底的方法 [P]. 
金美贤 ;
姜三默 ;
金峻渊 ;
卓泳助 ;
朴永洙 .
中国专利 :CN107978659A ,2018-05-01
[5]
氮化镓单晶衬底及其制造方法 [P]. 
元木健作 ;
冈久拓司 ;
松本直树 ;
松岛政人 .
中国专利 :CN1148810C ,1999-12-08
[6]
氮化镓衬底以及氮化镓衬底测试及制造方法 [P]. 
八乡昭广 .
中国专利 :CN100580909C ,2007-09-19
[7]
氮化镓单晶衬底的制备方法 [P]. 
卢敬权 ;
庄文荣 ;
孙明 .
中国专利 :CN111769036A ,2020-10-13
[8]
氮化镓单晶的生长方法,氮化镓单晶基板及其制造方法 [P]. 
元木健作 ;
冈久拓司 ;
松本直树 .
中国专利 :CN1908251B ,2007-02-07
[9]
氮化镓单晶的生长方法,氮化镓单晶基板及其制造方法 [P]. 
元木健作 ;
冈久拓司 ;
松本直树 .
中国专利 :CN1870223A ,2006-11-29
[10]
单晶氮化镓基体的制造方法和单晶氮化镓基体 [P]. 
元木健作 ;
笠井仁 ;
冈久拓司 .
中国专利 :CN1176502C ,2002-01-23
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