氮化镓单晶衬底及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN99106909.9

申请日：

1999-05-28

公开(公告)号：

CN1148810C

公开(公告)日：

1999-12-08

发明(设计)人：

元木健作冈久拓司松本直树松岛政人

申请人：

申请人地址：

日本大阪

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L2120

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

王以平

法律状态：

实质审查请求的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1999-10-13	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2016-07-20	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101671105392 IPC(主分类):H01L 33/00 专利号:ZL991069099 申请日:19990528 授权公告日:20040505 终止日期:20150528
1999-12-08	公开	公开
2004-05-05	授权	授权

共 50 条

[1]

氮化镓衬底、氮化镓单晶层及其制造方法 [P].

张林 ;

魏曙亮 .

中国专利 :CN114892264A ,2022-08-12

[2]

氮化镓衬底、氮化镓单晶层及其制造方法 [P].

张林 ;

魏曙亮 .

中国专利 :CN115233309B ,2024-01-12

[3]

氮化镓衬底、氮化镓单晶层及其制造方法 [P].

张林 ;

魏曙亮 .

中国专利 :CN114892264B ,2024-03-05

[4]

自支撑氮化镓单晶衬底及其制造方法 [P].

河口裕介 ;

目黑健 .

中国专利 :CN1979887B ,2007-06-13

[5]

氮化镓单晶衬底的制备方法 [P].

卢敬权 ;

庄文荣 ;

孙明 .

中国专利 :CN111769036A ,2020-10-13

[6]

氮化镓单晶衬底的制备方法 [P].

卢敬权 ;

庄文荣 ;

孙明 .

中国专利 :CN111681946B ,2020-09-18

[7]

氮化镓晶体衬底及其制造方法 [P].

佐藤史隆 ;

中畑成二 .

中国专利 :CN101024903A ,2007-08-29

[8]

氮化镓(11-22)单晶衬底及其制备方法 [P].

任玉娇 ;

刘宗亮 ;

徐科 .

中国专利 :CN112899784B ,2021-06-04

[9]

单晶氮化镓基板及其制造方法 [P].

朴起延 ;

金华睦 ;

徐大雄 ;

孙暎丸 .

中国专利 :CN103855264A ,2014-06-11

[10]

氮化镓衬底以及氮化镓衬底测试及制造方法 [P].

八乡昭广 .

中国专利 :CN100580909C ,2007-09-19

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