高质量氮化镓体单晶及其生长方法和制备系统

被引：0

申请号：

CN202011536638.9

申请日：

2020-12-23

公开(公告)号：

CN114657640A

公开(公告)日：

2022-06-24

发明(设计)人：

司志伟刘宗亮徐科

申请人：

申请人地址：

215123 江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号

IPC主分类号：

C30B2940

IPC分类号：

C30B1902 C30B1910 C30B1912

代理机构：

南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256

代理人：

王锋

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-06-24	公开	公开
2022-07-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/40 申请日:20201223

共 50 条

[1]

氮化镓体单晶及其生长方法 [P].

司志伟 ;

刘宗亮 ;

徐科 .

中国专利 :CN114622274A ,2022-06-14

[2]

一种高质量氮化铝单晶及其生长方法 [P].

王增华 ;

王英民 ;

程红娟 ;

王磊 ;

张丽 ;

金雷 ;

殷利迎 ;

史月增 .

中国专利 :CN117684272A ,2024-03-12

[3]

氮化镓单晶的生长方法和氮化镓单晶 [P].

岩井真 ;

今井克宏 ;

今枝美能留 .

中国专利 :CN1938457B ,2007-03-28

[4]

高质量氮化镓晶体、其助熔剂生长方法及应用 [P].

张涛 ;

刘宗亮 ;

徐科 ;

司志伟 ;

彭晓辉 .

中国专利 :CN120082955B ,2025-07-18

[5]

高质量氮化镓晶体、其助熔剂生长方法及应用 [P].

张涛 ;

刘宗亮 ;

徐科 ;

司志伟 ;

彭晓辉 .

中国专利 :CN120082955A ,2025-06-03

[6]

氮化镓单晶生长方法 [P].

孟静 .

中国专利 :CN108796611A ,2018-11-13

[7]

一种高质量碳化硅基氮化镓外延层及其生长方法 [P].

李毓锋 ;

赵伟杰 ;

王成新 ;

马光宇 ;

郑军 .

中国专利 :CN121023638A ,2025-11-28

[8]

氮化镓单晶的生长方法,氮化镓单晶基板及其制造方法 [P].

元木健作 ;

冈久拓司 ;

松本直树 .

中国专利 :CN1908251B ,2007-02-07

[9]

氮化镓单晶的生长方法,氮化镓单晶基板及其制造方法 [P].

元木健作 ;

冈久拓司 ;

松本直树 .

中国专利 :CN1870223A ,2006-11-29

[10]

单晶氮化镓基板及其生长方法与制造方法 [P].

元木健作 ;

冈久拓司 ;

中畑成二 ;

弘田龙 ;

上松康二 .

中国专利 :CN1405903A ,2003-03-26

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