一种高质量碳化硅基氮化镓外延层及其生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511162805.0

申请日：

2025-08-19

公开(公告)号：

CN121023638A

公开(公告)日：

2025-11-28

发明(设计)人：

李毓锋赵伟杰王成新马光宇郑军

申请人：

山东浪潮华光光电子股份有限公司

申请人地址：

261061 山东省潍坊市高新区金马路9号

IPC主分类号：

C30B25/18

IPC分类号：

C30B29/40 H01L21/02

代理机构：

济南金迪知识产权代理有限公司 37219

代理人：

赵龙群

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

江苏省常州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-16	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 25/18申请日:20250819
2025-11-28	公开	公开

共 50 条

[1]

一种高质量碳化硅单晶及其生长方法 [P].

史悦 ;

郭钰 ;

刘春俊 ;

彭同华 ;

杨建 .

中国专利 :CN121228357A ,2025-12-30

[2]

一种高质量碳化硅晶体及其生长方法和装置 [P].

李帅 ;

李函朔 ;

赵建国 .

中国专利 :CN113122923B ,2021-07-16

[3]

一种高质量碳化硅外延生长工艺 [P].

钱卫宁 ;

冯淦 ;

赵建辉 .

中国专利 :CN107829135A ,2018-03-23

[4]

一种基于氮化镓衬底的高质量氮化镓外延薄膜的生长方法 [P].

李亮 .

中国专利 :CN102719887B ,2012-10-10

[5]

一种碳化硅外延层生长方法 [P].

吕立平 .

中国专利 :CN114892273A ,2022-08-12

[6]

一种高质量碳化硅同质外延片及其制备方法 [P].

李赟 ;

赵志飞 ;

王翼 ;

熊瑞 ;

曹越 .

中国专利 :CN121161418A ,2025-12-19

[7]

一种碳化硅外延层生长方法 [P].

王蓉 ;

李佳君 ;

皮孝东 ;

李东珂 ;

刘小平 ;

杨德仁 .

中国专利 :CN114775046B ,2022-07-22

[8]

一种碳化硅外延生长系统及其生长方法 [P].

钮应喜 ;

杨霏 ;

温家良 ;

潘艳 ;

王嘉铭 ;

李永平 ;

田亮 ;

吴昊 ;

李玲 ;

查祎英 ;

郑柳 ;

夏经华 ;

桑玲 ;

刘瑞 ;

张文婷 ;

李嘉琳 .

中国专利 :CN105869996A ,2016-08-17

[9]

一种氮化镓外延层的生长方法以及氮化镓外延层 [P].

王建峰 .

中国专利 :CN117832062A ,2024-04-05

[10]

高质量氮化镓体单晶及其生长方法和制备系统 [P].

司志伟 ;

刘宗亮 ;

徐科 .

中国专利 :CN114657640A ,2022-06-24

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