一种高质量碳化硅晶体及其生长方法和装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110411549.X

申请日：

2021-04-16

公开(公告)号：

CN113122923B

公开(公告)日：

2021-07-16

发明(设计)人：

李帅李函朔赵建国

申请人：

申请人地址：

201306 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区鸿音路1211号10幢301室

IPC主分类号：

C30B2936

IPC分类号：

C30B2300

代理机构：

北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716

代理人：

冯妙娜

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/36 申请日:20210416
2022-07-12	授权	授权
2021-07-16	公开	公开

共 50 条

[1]

一种高质量碳化硅晶体的生长方法及装置 [P].

李加林 ;

刘星 ;

李斌 ;

孙元行 ;

刘鹏飞 ;

李博 ;

侯建国 ;

刘家朋 .

中国专利 :CN113005511B ,2021-06-22

[2]

生长高质量碳化硅晶体的装置、方法及碳化硅晶体 [P].

林育仪 ;

刘曦 ;

冯春林 ;

徐红立 .

中国专利 :CN116716655B ,2024-04-02

[3]

碳化硅晶体生长方法及其生长装置 [P].

杨弥珺 ;

浩瀚 ;

赵新田 ;

章宣 ;

陈晶莹 ;

廖青春 .

中国专利 :CN117107345B ,2024-06-18

[4]

一种高质量碳化硅单晶及其生长方法 [P].

史悦 ;

郭钰 ;

刘春俊 ;

彭同华 ;

杨建 .

中国专利 :CN121228357A ,2025-12-30

[5]

高质量碳化硅晶体生长用斜籽晶托以及生长高质量碳化硅晶体的方法 [P].

高攀 ;

严成锋 ;

忻隽 ;

孔海宽 ;

刘学超 ;

施尔畏 .

中国专利 :CN106400116A ,2017-02-15

[6]

一种碳化硅晶体及其生长方法 [P].

马远 ;

薛卫明 ;

潘尧波 .

中国专利 :CN118007239A ,2024-05-10

[7]

一种高质量的大尺寸碳化硅晶体生长装置和生长方法 [P].

毛栋梁 ;

魏汝省 ;

李天 ;

乔亮 ;

罗东 ;

高宇鹏 .

中国专利 :CN120925079A ,2025-11-11

[8]

高质量碳化硅籽晶、碳化硅晶体、碳化硅衬底及其制备方法 [P].

彭同华 ;

王波 ;

赵宁 ;

娄艳芳 ;

郭钰 ;

张贺 ;

刘春俊 ;

杨建 .

中国专利 :CN113186601B ,2021-07-30

[9]

一种高质量碳化硅晶体生长坩埚 [P].

忻隽 ;

贺贤汉 ;

孔海宽 ;

涂小牛 ;

陈建军 ;

李有群 .

中国专利 :CN115386957A ,2022-11-25

[10]

一种高质量碳化硅晶体生长的方法 [P].

刘春俊 ;

彭同华 ;

陈小龙 ;

王波 ;

赵宁 .

中国专利 :CN105734671B ,2016-07-06

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