高质量碳化硅籽晶、碳化硅晶体、碳化硅衬底及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110484326.6

申请日：

2021-04-30

公开(公告)号：

CN113186601B

公开(公告)日：

2021-07-30

发明(设计)人：

彭同华王波赵宁娄艳芳郭钰张贺刘春俊杨建

申请人：

申请人地址：

102600 北京市大兴区中关村科技园区大兴生物医药产业基地天荣大街9号2幢301室

IPC主分类号：

C30B2936

IPC分类号：

C30B2302

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

豆贝贝

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/36 申请日:20210430
2021-07-30	公开	公开
2022-09-30	授权	授权

共 50 条

[1]

碳化硅复合籽晶及其制备方法、碳化硅晶体 [P].

周国清 .

中国专利 :CN120401008A ,2025-08-01

[2]

碳化硅复合籽晶及其制备方法、碳化硅晶体 [P].

周国清 .

中国专利 :CN120401009A ,2025-08-01

[3]

碳化硅籽晶、碳化硅籽晶组件及其制备方法和制备碳化硅晶体的方法 [P].

蔡凯 ;

郭少聪 ;

王军 ;

周维 .

中国专利 :CN113897684A ,2022-01-07

[4]

一种高质量P型碳化硅晶体及碳化硅衬底 [P].

党一帆 ;

朱灿 ;

刘鹏飞 ;

陈超 ;

周惠琴 ;

张红岩 ;

王立凤 ;

王晓 .

中国专利 :CN119615370A ,2025-03-14

[5]

碳化硅籽晶 [P].

燕靖 ;

陈俊宏 .

中国专利 :CN216473579U ,2022-05-10

[6]

碳化硅籽晶和碳化硅籽晶组件 [P].

蔡凯 ;

郭少聪 ;

王军 ;

周维 .

中国专利 :CN113897685A ,2022-01-07

[7]

碳化硅衬底及碳化硅衬底制备方法 [P].

欧阳鹏根 ;

刘小琴 ;

盛永江 ;

杨水淼 ;

陈彦宇 ;

杨华 .

中国专利 :CN120193333B ,2025-10-10

[8]

碳化硅衬底及碳化硅衬底制备方法 [P].

欧阳鹏根 ;

刘小琴 ;

盛永江 ;

杨水淼 ;

陈彦宇 ;

杨华 .

中国专利 :CN120193333A ,2025-06-24

[9]

碳化硅衬底、碳化硅锭以及制造碳化硅衬底和碳化硅锭的方法 [P].

佐佐木信 ;

西口太郎 .

中国专利 :CN103476975A ,2013-12-25

[10]

碳化硅衬底、碳化硅晶片、碳化硅半导体装置 [P].

上东秀幸 .

日本专利 :CN118374882A ,2024-07-23

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