一种高质量碳化硅晶体生长坩埚

被引：0

申请号：

CN202210796715.7

申请日：

2022-07-08

公开(公告)号：

CN115386957A

公开(公告)日：

2022-11-25

发明(设计)人：

忻隽贺贤汉孔海宽涂小牛陈建军李有群

申请人：

申请人地址：

244000 安徽省铜陵市经济开发区西湖三路

IPC主分类号：

C30B2936

IPC分类号：

C30B2300

代理机构：

铜陵市天成专利事务所(普通合伙) 34105

代理人：

李坤

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/36 申请日:20220708
2022-11-25	公开	公开

共 50 条

[1]

一种高质量碳化硅晶体生长用的坩埚 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN214361844U ,2021-10-08

[2]

高质量碳化硅晶体生长用斜籽晶托以及生长高质量碳化硅晶体的方法 [P].

高攀 ;

严成锋 ;

忻隽 ;

孔海宽 ;

刘学超 ;

施尔畏 .

中国专利 :CN106400116A ,2017-02-15

[3]

一种高质量碳化硅晶体生长的方法 [P].

刘春俊 ;

彭同华 ;

陈小龙 ;

王波 ;

赵宁 .

中国专利 :CN105734671B ,2016-07-06

[4]

碳化硅晶体生长用坩埚和碳化硅晶体生长装置 [P].

徐良 ;

曹力力 ;

蓝文安 ;

朱卫祥 ;

阳明益 ;

刘建哲 ;

余雅俊 .

中国专利 :CN210974929U ,2020-07-10

[5]

碳化硅晶体生长用坩埚及碳化硅晶体生长装置 [P].

徐良 ;

蓝文安 ;

刘建哲 ;

余雅俊 ;

李京波 ;

夏建白 ;

陈素春 .

中国专利 :CN215404657U ,2022-01-04

[6]

一种新型碳化硅晶体生长坩埚 [P].

赵光利 ;

史建伟 ;

许登基 ;

杨振鲁 ;

袁祥瑞 .

中国专利 :CN222809590U ,2025-04-29

[7]

一种碳化硅晶体生长用坩埚 [P].

孔海宽 ;

忻隽 ;

陈建军 ;

郑燕青 ;

施尔畏 .

中国专利 :CN106929919A ,2017-07-07

[8]

高质量碳化硅晶体生长用斜籽晶托以及生长装置 [P].

高攀 ;

严成锋 ;

忻隽 ;

孔海宽 ;

刘学超 ;

施尔畏 .

中国专利 :CN206328494U ,2017-07-14

[9]

碳化硅晶体生长坩埚及其制备方法、晶体生长炉 [P].

李丙菊 ;

廖雨舟 ;

谭善宥 ;

吴海源 ;

彭浩波 ;

李军 ;

廖寄乔 .

中国专利 :CN117626417A ,2024-03-01

[10]

碳化硅晶体生长坩埚、籽晶及晶体生长方法 [P].

欧阳鹏根 ;

张志伟 ;

汪传勇 ;

胡建荣 .

中国专利 :CN119710929A ,2025-03-28

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