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碳化硅晶体生长坩埚、籽晶及晶体生长方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510227967.1
申请日：
2025-02-27
公开(公告)号：
CN119710929A
公开(公告)日：
2025-03-28
发明(设计)人：
欧阳鹏根 张志伟 汪传勇 胡建荣
申请人：
浙江晶盛机电股份有限公司 宁夏创盛新材料科技有限公司
申请人地址：
312300 浙江省绍兴市上虞区曹娥街道五星西路99号
IPC主分类号：
C30B29/36
IPC分类号：
C30B35/00
代理机构：
杭州钤韬知识产权代理事务所(普通合伙) 33329
代理人：
安佳伟
法律状态：
发明专利申请公布后的驳回
国省代码：
浙江省 绍兴市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-12-16 发明专利申请公布后的驳回 发明专利申请公布后的驳回IPC(主分类):C30B 29/36申请公布日:20250328
2025-04-15 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C30B 29/36申请日:20250227
2025-03-28 公开 公开
共 50 条
[1]
碳化硅晶体生长坩埚及生长方法 [P]. 
杨弥珺 ;
赵新田 .
中国专利 :CN114059163A ,2022-02-18
[2]
碳化硅晶体生长装置和晶体生长方法 [P]. 
王睿仑 ;
张洁 ;
廖弘基 ;
杨树 .
中国专利 :CN113622016B ,2021-11-09
[3]
碳化硅晶体生长用坩埚及碳化硅晶体生长装置 [P]. 
徐良 ;
蓝文安 ;
刘建哲 ;
余雅俊 ;
李京波 ;
夏建白 ;
陈素春 .
中国专利 :CN215404657U ,2022-01-04
[4]
碳化硅晶体生长方法、装置及碳化硅晶体 [P]. 
侯磊 .
中国专利 :CN120401012A ,2025-08-01
[5]
碳化硅晶体生长方法、装置及碳化硅晶体 [P]. 
侯磊 .
中国专利 :CN120465104A ,2025-08-12
[6]
碳化硅晶体生长坩埚及其制备方法、晶体生长炉 [P]. 
李丙菊 ;
廖雨舟 ;
谭善宥 ;
吴海源 ;
彭浩波 ;
李军 ;
廖寄乔 .
中国专利 :CN117626417A ,2024-03-01
[7]
籽晶处理方法及碳化硅晶体生长方法 [P]. 
李龙远 .
中国专利 :CN108018605A ,2018-05-11
[8]
碳化硅晶体生长用坩埚和碳化硅晶体生长装置 [P]. 
徐良 ;
曹力力 ;
蓝文安 ;
朱卫祥 ;
阳明益 ;
刘建哲 ;
余雅俊 .
中国专利 :CN210974929U ,2020-07-10
[9]
一种碳化硅晶体生长装置及碳化硅晶体生长方法 [P]. 
郭超 ;
母凤文 .
中国专利 :CN114481293A ,2022-05-13
[10]
碳化硅晶体生长方法及生长装置 [P]. 
马远 ;
潘尧波 .
中国专利 :CN112663136A ,2021-04-16
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