碳化硅晶体生长坩埚及生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111361145.0

申请日：

2021-11-17

公开(公告)号：

CN114059163A

公开(公告)日：

2022-02-18

发明(设计)人：

杨弥珺赵新田

申请人：

申请人地址：

315314 浙江省宁波市慈溪市周巷镇环城南路304号

IPC主分类号：

C30B2936

IPC分类号：

C30B2300

代理机构：

北京高沃律师事务所 11569

代理人：

李胜强

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-08	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/36 申请日:20211117
2022-02-18	公开	公开

共 50 条

[1]

碳化硅晶体生长坩埚、籽晶及晶体生长方法 [P].

欧阳鹏根 ;

张志伟 ;

汪传勇 ;

胡建荣 .

中国专利 :CN119710929A ,2025-03-28

[2]

碳化硅晶体生长方法及生长装置 [P].

马远 ;

潘尧波 .

中国专利 :CN112663136A ,2021-04-16

[3]

碳化硅晶体生长方法及生长装置 [P].

马远 ;

潘尧波 .

中国专利 :CN112553691A ,2021-03-26

[4]

碳化硅晶体生长用坩埚及碳化硅晶体生长装置 [P].

徐良 ;

蓝文安 ;

刘建哲 ;

余雅俊 ;

李京波 ;

夏建白 ;

陈素春 .

中国专利 :CN215404657U ,2022-01-04

[5]

碳化硅晶体生长用坩埚和碳化硅晶体生长装置 [P].

徐良 ;

曹力力 ;

蓝文安 ;

朱卫祥 ;

阳明益 ;

刘建哲 ;

余雅俊 .

中国专利 :CN210974929U ,2020-07-10

[6]

碳化硅晶体生长坩埚及其制备方法、晶体生长炉 [P].

李丙菊 ;

廖雨舟 ;

谭善宥 ;

吴海源 ;

彭浩波 ;

李军 ;

廖寄乔 .

中国专利 :CN117626417A ,2024-03-01

[7]

碳化硅晶体生长方法、装置及碳化硅晶体 [P].

侯磊 .

中国专利 :CN120401012A ,2025-08-01

[8]

碳化硅晶体生长方法、装置及碳化硅晶体 [P].

侯磊 .

中国专利 :CN120465104A ,2025-08-12

[9]

一种碳化硅晶体生长装置及碳化硅晶体生长方法 [P].

郭超 ;

母凤文 .

中国专利 :CN114481293A ,2022-05-13

[10]

生长坩埚及碳化硅晶体生长装置 [P].

吴亚娟 ;

陈俊宏 ;

李兆颖 ;

周来平 .

中国专利 :CN217378098U ,2022-09-06

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