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生长坩埚及碳化硅晶体生长装置
被引:0
申请号
:
CN202221008768.X
申请日
:
2022-04-28
公开(公告)号
:
CN217378098U
公开(公告)日
:
2022-09-06
发明(设计)人
:
吴亚娟
陈俊宏
李兆颖
周来平
申请人
:
申请人地址
:
221000 江苏省徐州市经济技术开发区软件园E1楼669室
IPC主分类号
:
C30B2300
IPC分类号
:
C30B2936
C30B2812
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-09-06
授权
授权
共 50 条
[1]
碳化硅晶体生长用坩埚及碳化硅晶体生长装置
[P].
徐良
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徐良
;
蓝文安
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蓝文安
;
刘建哲
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刘建哲
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余雅俊
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余雅俊
;
李京波
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李京波
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夏建白
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夏建白
;
陈素春
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陈素春
.
中国专利
:CN215404657U
,2022-01-04
[2]
碳化硅晶体生长用坩埚和碳化硅晶体生长装置
[P].
徐良
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徐良
;
曹力力
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曹力力
;
蓝文安
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蓝文安
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朱卫祥
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朱卫祥
;
阳明益
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阳明益
;
刘建哲
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刘建哲
;
余雅俊
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余雅俊
.
中国专利
:CN210974929U
,2020-07-10
[3]
碳化硅晶体生长装置
[P].
秦皓然
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机构:
湖南三安半导体有限责任公司
湖南三安半导体有限责任公司
秦皓然
;
张洁
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机构:
湖南三安半导体有限责任公司
湖南三安半导体有限责任公司
张洁
.
中国专利
:CN220812699U
,2024-04-19
[4]
碳化硅晶体生长装置
[P].
李远田
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机构:
江苏集芯先进材料有限公司
江苏集芯先进材料有限公司
李远田
.
中国专利
:CN223481346U
,2025-10-28
[5]
碳化硅晶体生长装置
[P].
李远田
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李远田
;
陈俊宏
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陈俊宏
;
李兆颖
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李兆颖
;
周来平
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周来平
.
中国专利
:CN217757757U
,2022-11-08
[6]
碳化硅晶体生长装置
[P].
洪棋典
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洪棋典
;
张洁
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张洁
;
廖弘基
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廖弘基
;
杨树
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杨树
.
中国专利
:CN215593238U
,2022-01-21
[7]
碳化硅晶体生长装置
[P].
杨树
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机构:
湖南三安半导体有限责任公司
湖南三安半导体有限责任公司
杨树
;
张洁
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机构:
湖南三安半导体有限责任公司
湖南三安半导体有限责任公司
张洁
.
中国专利
:CN221071723U
,2024-06-04
[8]
碳化硅晶体生长装置及系统
[P].
周荣国
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周荣国
;
邹路
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邹路
;
刘鹏
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刘鹏
.
中国专利
:CN218089882U
,2022-12-20
[9]
一种碳化硅晶体生长装置及碳化硅晶体生长设备
[P].
汪良
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汪良
;
张洁
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张洁
.
中国专利
:CN215668293U
,2022-01-28
[10]
碳化硅晶体生长用石墨组件及碳化硅晶体生长装置
[P].
钱昊
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机构:
苏州清研半导体科技有限公司
苏州清研半导体科技有限公司
钱昊
;
梁刚强
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机构:
苏州清研半导体科技有限公司
苏州清研半导体科技有限公司
梁刚强
;
苏奕霖
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苏州清研半导体科技有限公司
苏州清研半导体科技有限公司
苏奕霖
;
李强
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苏州清研半导体科技有限公司
苏州清研半导体科技有限公司
李强
;
杨倩倩
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机构:
苏州清研半导体科技有限公司
苏州清研半导体科技有限公司
杨倩倩
.
中国专利
:CN220433065U
,2024-02-02
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