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碳化硅晶体生长装置

被引：0
申请号：
CN202221263287.3
申请日：
2022-05-25
公开(公告)号：
CN217757757U
公开(公告)日：
2022-11-08
发明(设计)人：
李远田 陈俊宏 李兆颖 周来平
申请人：
申请人地址：
221000 江苏省徐州市经济技术开发区软件园E1楼669室
IPC主分类号：
C30B2936
IPC分类号：
C30B2300
代理机构：
代理人：
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-11-08 授权 授权
共 50 条
[1]
碳化硅晶体生长装置 [P]. 
李远田 ;
陈俊宏 ;
李兆颖 ;
周来平 .
中国专利 :CN114892275A ,2022-08-12
[2]
碳化硅晶体生长装置 [P]. 
李远田 ;
陈俊宏 ;
李兆颖 ;
周来平 .
中国专利 :CN114892275B ,2025-10-28
[3]
碳化硅晶体生长用坩埚及碳化硅晶体生长装置 [P]. 
徐良 ;
蓝文安 ;
刘建哲 ;
余雅俊 ;
李京波 ;
夏建白 ;
陈素春 .
中国专利 :CN215404657U ,2022-01-04
[4]
碳化硅晶体生长装置 [P]. 
李远田 .
中国专利 :CN223481346U ,2025-10-28
[5]
碳化硅晶体生长设备 [P]. 
李兆颖 ;
陈俊宏 ;
吴亚娟 ;
周来平 .
中国专利 :CN218203166U ,2023-01-03
[6]
碳化硅晶体生长用坩埚和碳化硅晶体生长装置 [P]. 
徐良 ;
曹力力 ;
蓝文安 ;
朱卫祥 ;
阳明益 ;
刘建哲 ;
余雅俊 .
中国专利 :CN210974929U ,2020-07-10
[7]
碳化硅晶体生长装置 [P]. 
李远田 ;
陈俊宏 ;
吴亚娟 .
中国专利 :CN217149391U ,2022-08-09
[8]
碳化硅晶体生长装置 [P]. 
薛卫明 ;
马远 ;
潘尧波 .
中国专利 :CN217757758U ,2022-11-08
[9]
碳化硅晶体生长装置 [P]. 
段元浩 ;
浩瀚 ;
赵新田 .
中国专利 :CN117684257A ,2024-03-12
[10]
碳化硅晶体生长装置 [P]. 
张炜国 .
中国专利 :CN220433073U ,2024-02-02
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