碳化硅晶体生长装置

被引：0

申请号：

CN202220337827.1

申请日：

2022-02-14

公开(公告)号：

CN217149391U

公开(公告)日：

2022-08-09

发明(设计)人：

李远田陈俊宏吴亚娟

申请人：

申请人地址：

221004 江苏省徐州市徐州经济技术开发区软件园E1楼669室

IPC主分类号：

C30B2300

IPC分类号：

C30B2936

代理机构：

北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201

代理人：

吴婷

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-09	授权	授权

共 50 条

[1]

碳化硅晶体生长装置 [P].

薛卫明 ;

马远 ;

潘尧波 .

中国专利 :CN217757758U ,2022-11-08

[2]

碳化硅晶体生长装置 [P].

杨树 ;

张洁 .

中国专利 :CN221071723U ,2024-06-04

[3]

碳化硅晶体生长用坩埚和碳化硅晶体生长装置 [P].

徐良 ;

曹力力 ;

蓝文安 ;

朱卫祥 ;

阳明益 ;

刘建哲 ;

余雅俊 .

中国专利 :CN210974929U ,2020-07-10

[4]

碳化硅晶体生长用坩埚及碳化硅晶体生长装置 [P].

徐良 ;

蓝文安 ;

刘建哲 ;

余雅俊 ;

李京波 ;

夏建白 ;

陈素春 .

中国专利 :CN215404657U ,2022-01-04

[5]

碳化硅晶体生长装置 [P].

李远田 ;

陈俊宏 ;

吴亚娟 .

中国专利 :CN114574968A ,2022-06-03

[6]

碳化硅晶体生长装置 [P].

李远田 .

中国专利 :CN223481346U ,2025-10-28

[7]

碳化硅晶体生长装置 [P].

李远田 ;

陈俊宏 ;

李兆颖 ;

周来平 .

中国专利 :CN217757757U ,2022-11-08

[8]

碳化硅晶体生长装置 [P].

张炜国 .

中国专利 :CN220433073U ,2024-02-02

[9]

碳化硅晶体生长装置 [P].

洪棋典 ;

张洁 ;

廖弘基 ;

杨树 .

中国专利 :CN215593238U ,2022-01-21

[10]

碳化硅晶体生长装置 [P].

洪棋典 ;

蔡文必 ;

廖弘基 ;

袁文博 .

中国专利 :CN216514253U ,2022-05-13

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