碳化硅晶体生长方法及生长装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011401063.X

申请日：

2020-12-02

公开(公告)号：

CN112553691A

公开(公告)日：

2021-03-26

发明(设计)人：

马远潘尧波

申请人：

申请人地址：

315336 浙江省宁波市杭州湾新区兴慈一路290号3号楼105-1室

IPC主分类号：

C30B2936

IPC分类号：

C30B700 C30B2300 C30B2500 C30B2516

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

佟婷婷

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-23	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B 29/36 申请公布日:20210326
2021-03-26	公开	公开
2021-04-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/36 申请日:20201202

共 50 条

[1]

碳化硅晶体生长方法及生长装置 [P].

马远 ;

潘尧波 .

中国专利 :CN112663136A ,2021-04-16

[2]

碳化硅晶体生长方法、装置及碳化硅晶体 [P].

侯磊 .

中国专利 :CN120401012A ,2025-08-01

[3]

碳化硅晶体生长方法、装置及碳化硅晶体 [P].

侯磊 .

中国专利 :CN120465104A ,2025-08-12

[4]

碳化硅晶体生长坩埚及生长方法 [P].

杨弥珺 ;

赵新田 .

中国专利 :CN114059163A ,2022-02-18

[5]

一种碳化硅晶体生长装置及碳化硅晶体生长方法 [P].

郭超 ;

母凤文 .

中国专利 :CN114481293A ,2022-05-13

[6]

碳化硅晶体生长坩埚、籽晶及晶体生长方法 [P].

欧阳鹏根 ;

张志伟 ;

汪传勇 ;

胡建荣 .

中国专利 :CN119710929A ,2025-03-28

[7]

碳化硅晶体生长装置和晶体生长方法 [P].

王睿仑 ;

张洁 ;

廖弘基 ;

杨树 .

中国专利 :CN113622016B ,2021-11-09

[8]

碳化硅晶体生长方法及其生长装置 [P].

杨弥珺 ;

浩瀚 ;

赵新田 ;

章宣 ;

陈晶莹 ;

廖青春 .

中国专利 :CN117107345B ,2024-06-18

[9]

一种碳化硅晶体生长装置及晶体生长方法 [P].

请求不公布姓名 ;

袁振洲 ;

刘欣宇 .

中国专利 :CN120138808A ,2025-06-13

[10]

碳化硅晶体生长装置和生长方法 [P].

贾松茹 ;

王旻峰 ;

高玉强 .

中国专利 :CN118048689A ,2024-05-17

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