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一种碳化硅晶体生长装置及晶体生长方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510359280.3
申请日：
2025-03-25
公开(公告)号：
CN120138808A
公开(公告)日：
2025-06-13
发明(设计)人：
请求不公布姓名 袁振洲 刘欣宇
申请人：
江苏超芯星半导体有限公司
申请人地址：
210000 江苏省南京市江北新区科盛路19号集成电路产业化基地B区
IPC主分类号：
C30B29/36
IPC分类号：
C30B23/00
代理机构：
北京品源专利代理有限公司 11332
代理人：
王艳斋
法律状态：
公开
国省代码：
江苏省 南京市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-06-13 公开 公开
2025-07-01 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C30B 29/36申请日:20250325
共 50 条
[1]
碳化硅晶体生长装置和晶体生长方法 [P]. 
王睿仑 ;
张洁 ;
廖弘基 ;
杨树 .
中国专利 :CN113622016B ,2021-11-09
[2]
一种碳化硅晶体生长装置及碳化硅晶体生长方法 [P]. 
郭超 ;
母凤文 .
中国专利 :CN114481293A ,2022-05-13
[3]
碳化硅晶体生长方法及生长装置 [P]. 
马远 ;
潘尧波 .
中国专利 :CN112663136A ,2021-04-16
[4]
碳化硅晶体生长方法及生长装置 [P]. 
马远 ;
潘尧波 .
中国专利 :CN112553691A ,2021-03-26
[5]
碳化硅晶体生长坩埚、籽晶及晶体生长方法 [P]. 
欧阳鹏根 ;
张志伟 ;
汪传勇 ;
胡建荣 .
中国专利 :CN119710929A ,2025-03-28
[6]
碳化硅晶体生长装置 [P]. 
王旻峰 ;
张洁 ;
高玉强 .
中国专利 :CN117385449A ,2024-01-12
[7]
碳化硅晶体生长装置 [P]. 
杨树 ;
张洁 .
中国专利 :CN221071723U ,2024-06-04
[8]
碳化硅晶体生长装置、系统及方法 [P]. 
周荣国 ;
邹路 ;
刘鹏 .
中国专利 :CN115182038B ,2025-06-17
[9]
一种碳化硅晶体生长装置及生长方法 [P]. 
张荣晟 ;
姚静 ;
张雪霞 ;
娄艳芳 ;
刘春俊 ;
彭同华 ;
杨建 .
中国专利 :CN119980448A ,2025-05-13
[10]
碳化硅晶体生长装置及生长方法 [P]. 
胡建荣 ;
欧阳鹏根 ;
张志伟 ;
汪传勇 ;
乔发 ;
黄俊 .
中国专利 :CN120797184A ,2025-10-17
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