碳化硅晶体生长装置、系统及方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210981679.1

申请日：

2022-08-16

公开(公告)号：

CN115182038B

公开(公告)日：

2025-06-17

发明(设计)人：

周荣国邹路刘鹏

申请人：

宁波恒普技术股份有限公司

申请人地址：

315300 浙江省宁波市慈溪高新技术产业开发区新兴一路365号

IPC主分类号：

C30B23/00

IPC分类号：

C30B28/12 C30B29/36

代理机构：

北京高沃律师事务所 11569

代理人：

孙玲

法律状态：

授权

国省代码：

河北省保定市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-17	授权	授权

共 50 条

[1]

碳化硅晶体生长装置及系统 [P].

周荣国 ;

邹路 ;

刘鹏 .

中国专利 :CN218089882U ,2022-12-20

[2]

碳化硅晶体生长装置、方法及碳化硅晶体 [P].

刘曦 .

中国专利 :CN116815320B ,2024-01-12

[3]

一种碳化硅晶体生长装置及晶体生长方法 [P].

请求不公布姓名 ;

袁振洲 ;

刘欣宇 .

中国专利 :CN120138808A ,2025-06-13

[4]

碳化硅晶体生长方法、装置及碳化硅晶体 [P].

侯磊 .

中国专利 :CN120401012A ,2025-08-01

[5]

碳化硅晶体生长方法、装置及碳化硅晶体 [P].

侯磊 .

中国专利 :CN120465104A ,2025-08-12

[6]

碳化硅晶体生长用石墨组件及碳化硅晶体生长装置 [P].

钱昊 ;

梁刚强 ;

苏奕霖 ;

李强 ;

杨倩倩 .

中国专利 :CN220433065U ,2024-02-02

[7]

碳化硅晶体生长装置 [P].

秦皓然 ;

张洁 .

中国专利 :CN220812699U ,2024-04-19

[8]

碳化硅晶体生长装置、方法及碳化硅晶体 [P].

林育仪 ;

廖建成 ;

陈增强 ;

余明轩 .

中国专利 :CN116695238B ,2024-03-22

[9]

碳化硅晶体生长装置 [P].

洪棋典 ;

张洁 ;

廖弘基 ;

杨树 .

中国专利 :CN215593238U ,2022-01-21

[10]

碳化硅晶体生长装置 [P].

杨树 ;

张洁 .

中国专利 :CN221071723U ,2024-06-04

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