碳化硅晶体生长装置

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202311450448.9
申请日
2023-11-02
公开(公告)号
CN117385449A
公开(公告)日
2024-01-12
发明(设计)人
王旻峰 张洁 高玉强
申请人
湖南三安半导体有限责任公司
申请人地址
410000 湖南省长沙市高新开发区长兴路399号
IPC主分类号
C30B23/00
IPC分类号
C30B29/36
代理机构
北京超凡宏宇知识产权代理有限公司 11463
代理人
张洋
法律状态
实质审查的生效
国省代码
河北省 石家庄市
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共 50 条
[1]
碳化硅晶体生长装置 [P]. 
秦皓然 ;
张洁 .
中国专利 :CN220812699U ,2024-04-19
[2]
碳化硅晶体生长装置 [P]. 
杨树 ;
张洁 .
中国专利 :CN221071723U ,2024-06-04
[3]
碳化硅晶体生长用坩埚和碳化硅晶体生长装置 [P]. 
徐良 ;
曹力力 ;
蓝文安 ;
朱卫祥 ;
阳明益 ;
刘建哲 ;
余雅俊 .
中国专利 :CN210974929U ,2020-07-10
[4]
碳化硅晶体生长用坩埚及碳化硅晶体生长装置 [P]. 
徐良 ;
蓝文安 ;
刘建哲 ;
余雅俊 ;
李京波 ;
夏建白 ;
陈素春 .
中国专利 :CN215404657U ,2022-01-04
[5]
一种碳化硅晶体生长装置及碳化硅晶体生长设备 [P]. 
汪良 ;
张洁 .
中国专利 :CN215668293U ,2022-01-28
[6]
碳化硅晶体生长装置 [P]. 
李远田 ;
陈俊宏 ;
吴亚娟 .
中国专利 :CN114574968A ,2022-06-03
[7]
碳化硅晶体生长装置 [P]. 
李远田 ;
陈俊宏 ;
吴亚娟 .
中国专利 :CN217149391U ,2022-08-09
[8]
碳化硅晶体生长装置 [P]. 
燕靖 .
中国专利 :CN118704083A ,2024-09-27
[9]
碳化硅晶体生长装置 [P]. 
李远田 .
中国专利 :CN223481346U ,2025-10-28
[10]
碳化硅晶体生长装置 [P]. 
燕靖 ;
陈俊宏 .
中国专利 :CN114108094A ,2022-03-01