一种碳化硅晶体生长用坩埚

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201511006394.2

申请日：

2015-12-29

公开(公告)号：

CN106929919A

公开(公告)日：

2017-07-07

发明(设计)人：

孔海宽忻隽陈建军郑燕青施尔畏

申请人：

申请人地址：

200050 上海市长宁区定西路1295号

IPC主分类号：

C30B2936

IPC分类号：

C30B2300

代理机构：

上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261

代理人：

曹芳玲;姚佳雯

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-08-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101738377024 IPC(主分类):C30B 29/36 专利申请号:2015110063942 申请日:20151229
2019-07-26	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C30B 29/36 申请公布日:20170707
2017-07-07	公开	公开

共 50 条

[1]

碳化硅晶体生长用坩埚和碳化硅晶体生长装置 [P].

徐良 ;

曹力力 ;

蓝文安 ;

朱卫祥 ;

阳明益 ;

刘建哲 ;

余雅俊 .

中国专利 :CN210974929U ,2020-07-10

[2]

碳化硅晶体生长用坩埚及碳化硅晶体生长装置 [P].

徐良 ;

蓝文安 ;

刘建哲 ;

余雅俊 ;

李京波 ;

夏建白 ;

陈素春 .

中国专利 :CN215404657U ,2022-01-04

[3]

一种分体式碳化硅晶体生长用坩埚 [P].

孔海宽 ;

忻隽 ;

陈建军 ;

郑燕青 ;

施尔畏 .

中国专利 :CN106929913A ,2017-07-07

[4]

一种分体式碳化硅晶体生长用坩埚 [P].

孔海宽 ;

忻隽 ;

陈建军 ;

郑燕青 ;

施尔畏 .

中国专利 :CN205241854U ,2016-05-18

[5]

一种碳化硅晶体生长用坩埚结构 [P].

胡动力 ;

杨东风 ;

陈湘伟 ;

李龙 .

中国专利 :CN120537030A ,2025-08-26

[6]

用于碳化硅晶体生长的坩埚 [P].

秦俊 ;

申慧 ;

王小刚 ;

翟虎 ;

宋亚滨 .

中国专利 :CN218026458U ,2022-12-13

[7]

一种新型碳化硅晶体生长坩埚 [P].

赵光利 ;

史建伟 ;

许登基 ;

杨振鲁 ;

袁祥瑞 .

中国专利 :CN222809590U ,2025-04-29

[8]

碳化硅晶体生长坩埚及其制备方法、晶体生长炉 [P].

李丙菊 ;

廖雨舟 ;

谭善宥 ;

吴海源 ;

彭浩波 ;

李军 ;

廖寄乔 .

中国专利 :CN117626417A ,2024-03-01

[9]

碳化硅晶体生长用石墨组件及碳化硅晶体生长装置 [P].

钱昊 ;

梁刚强 ;

苏奕霖 ;

李强 ;

杨倩倩 .

中国专利 :CN220433065U ,2024-02-02

[10]

碳化硅晶体生长坩埚、籽晶及晶体生长方法 [P].

欧阳鹏根 ;

张志伟 ;

汪传勇 ;

胡建荣 .

中国专利 :CN119710929A ,2025-03-28

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