一种基于氮化镓衬底的高质量氮化镓外延薄膜的生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210193466.9

申请日：

2012-06-13

公开(公告)号：

CN102719887B

公开(公告)日：

2012-10-10

发明(设计)人：

李亮

申请人：

申请人地址：

210016 江苏省南京市中山东路524号

IPC主分类号：

C30B2502

IPC分类号：

C30B2938 C23C1634 H01L21205

代理机构：

南京君陶专利商标代理有限公司 32215

代理人：

沈根水

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-10-10	公开	公开
2014-12-10	授权	授权
2012-12-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101359124346 IPC(主分类):C30B 25/02 专利申请号:2012101934669 申请日:20120613

共 50 条

[1]

基于氮化镓核探测器结构的双面氮化镓薄膜外延生长方法 [P].

李亮 ;

罗伟科 .

中国专利 :CN105755535A ,2016-07-13

[2]

一种高质量氮化铝薄膜的同质外延生长方法 [P].

罗伟科 ;

李忠辉 .

中国专利 :CN111188090A ,2020-05-22

[3]

横向外延生长高质量氮化镓薄膜的方法 [P].

张荣 ;

修向前 ;

顾书林 ;

卢佃清 ;

毕朝霞 ;

沈波 ;

江若琏 ;

施毅 ;

朱顺明 ;

韩平 ;

胡立群 ;

郑有炓 .

中国专利 :CN1174470C ,2003-01-08

[4]

用于高质量同质外延的连位氮化镓衬底 [P].

罗伯特·P·沃多 ;

徐学平 ;

杰弗里·S·弗林 ;

乔治·R·布兰德斯 .

中国专利 :CN1894093B ,2007-01-10

[5]

一种氮化镓外延层的生长方法以及氮化镓外延层 [P].

王建峰 .

中国专利 :CN117832062A ,2024-04-05

[6]

一种氮化镓薄膜及准范德华外延氮化镓薄膜的生长方法 [P].

汪莱 ;

杨沛珑 ;

郝智彪 ;

罗毅 .

中国专利 :CN119530964A ,2025-02-28

[7]

晶体质量可控的氮化镓薄膜外延生长方法 [P].

甘志银 ;

张荣军 ;

汪沛 ;

严晗 .

中国专利 :CN104347761B ,2015-02-11

[8]

氮化镓薄膜外延生长结构及方法 [P].

李忠辉 ;

陈辰 ;

董逊 .

中国专利 :CN101302648A ,2008-11-12

[9]

氮化镓薄膜及其远程外延生长方法 [P].

曹冰 ;

刘淼 ;

夏天 .

中国专利 :CN120738767A ,2025-10-03

[10]

一种在硅衬底上生长高质量氮化镓薄膜的方法 [P].

白俊春 ;

周小伟 ;

景文甲 ;

李培咸 ;

平加峰 .

中国专利 :CN109524292A ,2019-03-26

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