一种在硅衬底上生长高质量氮化镓薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811377063.3

申请日：

2018-11-19

公开(公告)号：

CN109524292A

公开(公告)日：

2019-03-26

发明(设计)人：

白俊春周小伟景文甲李培咸平加峰

申请人：

申请人地址：

221300 江苏省徐州市邳州市高新技术产业开发区太湖大道西侧、富美路北侧江苏晶曌半导体有限公司

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

代理机构：

北京科家知识产权代理事务所(普通合伙) 11427

代理人：

徐思波

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-04-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20181119
2021-12-28	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 21/02 申请公布日:20190326
2019-03-26	公开	公开

共 50 条

[1]

一种在硅衬底上生长高质量氮化铝的方法 [P].

张南红 ;

王晓亮 ;

曾一平 ;

肖红领 ;

王军喜 ;

刘宏新 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN100355027C ,2005-12-14

[2]

横向外延生长高质量氮化镓薄膜的方法 [P].

张荣 ;

修向前 ;

顾书林 ;

卢佃清 ;

毕朝霞 ;

沈波 ;

江若琏 ;

施毅 ;

朱顺明 ;

韩平 ;

胡立群 ;

郑有炓 .

中国专利 :CN1174470C ,2003-01-08

[3]

一种在硅衬底上生长氮化镓薄膜的方法 [P].

王晓亮 ;

李百泉 ;

肖红领 .

中国专利 :CN110752146A ,2020-02-04

[4]

一种在氮化镓衬底上外延生长高质量铌镁钛酸铅薄膜的方法 [P].

徐小科 ;

李效民 ;

高相东 .

中国专利 :CN108242395B ,2018-07-03

[5]

在硅衬底上生长无裂纹氮化镓薄膜的方法 [P].

刘喆 ;

李晋闽 ;

王军喜 ;

王晓亮 ;

王启元 ;

刘宏新 ;

王俊 ;

曾一平 .

中国专利 :CN1967778A ,2007-05-23

[6]

一种生长高质量单晶氮化铟薄膜的方法 [P].

张双翔 ;

蔡建九 ;

张银桥 ;

王向武 .

中国专利 :CN101397693B ,2009-04-01

[7]

一种基于氮化镓衬底的高质量氮化镓外延薄膜的生长方法 [P].

李亮 .

中国专利 :CN102719887B ,2012-10-10

[8]

一种多孔氮化铝复合衬底及其在外延生长高质量氮化镓薄膜中的应用 [P].

罗伟科 ;

李亮 .

中国专利 :CN105489714B ,2016-04-13

[9]

在硅衬底上实现氮化镓薄膜低温沉积的方法 [P].

陈俊芳 ;

李炜 ;

孟然 ;

薛永奇 ;

王燕 .

中国专利 :CN101369620A ,2009-02-18

[10]

在硅衬底上生长的氮化镓薄膜结构及其生长方法 [P].

王晓亮 ;

罗卫军 ;

郭伦春 ;

肖红领 ;

李建平 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN101515543A ,2009-08-26

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