一种在氮化镓衬底上外延生长高质量铌镁钛酸铅薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611206295.3

申请日：

2016-12-23

公开(公告)号：

CN108242395B

公开(公告)日：

2018-07-03

发明(设计)人：

徐小科李效民高相东

申请人：

申请人地址：

200050 上海市长宁区定西路1295号

IPC主分类号：

H01L21268

IPC分类号：

H01L2120

代理机构：

上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261

代理人：

曹芳玲;郑优丽

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-07-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/268 申请日:20161223
2018-07-03	公开	公开
2020-02-14	授权	授权

共 50 条

[1]

横向外延生长高质量氮化镓薄膜的方法 [P].

张荣 ;

修向前 ;

顾书林 ;

卢佃清 ;

毕朝霞 ;

沈波 ;

江若琏 ;

施毅 ;

朱顺明 ;

韩平 ;

胡立群 ;

郑有炓 .

中国专利 :CN1174470C ,2003-01-08

[2]

一种在硅衬底上生长高质量氮化镓薄膜的方法 [P].

白俊春 ;

周小伟 ;

景文甲 ;

李培咸 ;

平加峰 .

中国专利 :CN109524292A ,2019-03-26

[3]

一种基于氮化镓衬底的高质量氮化镓外延薄膜的生长方法 [P].

李亮 .

中国专利 :CN102719887B ,2012-10-10

[4]

一种多孔氮化铝复合衬底及其在外延生长高质量氮化镓薄膜中的应用 [P].

罗伟科 ;

李亮 .

中国专利 :CN105489714B ,2016-04-13

[5]

无掩膜横向外延生长高质量氮化镓 [P].

修向前 ;

张荣 ;

陈琳 ;

谢自力 ;

顾书林 ;

施毅 ;

韩平 ;

沈波 ;

江若琏 ;

朱顺明 ;

胡立群 ;

郑有炓 .

中国专利 :CN1300387C ,2005-06-29

[6]

利用双成核层生长高质量氮化镓外延结构的方法 [P].

梁萌 ;

李鸿渐 ;

姚然 ;

李志聪 ;

李盼盼 ;

王兵 ;

李璟 ;

伊晓燕 ;

王军喜 ;

王国宏 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN102544271A ,2012-07-04

[7]

一种SiC衬底上生长高质量GaN外延膜的方法 [P].

白俊春 ;

周小伟 ;

景文甲 ;

李培咸 ;

平加峰 .

中国专利 :CN109524293B ,2019-03-26

[8]

用于高质量同质外延的连位氮化镓衬底 [P].

罗伯特·P·沃多 ;

徐学平 ;

杰弗里·S·弗林 ;

乔治·R·布兰德斯 .

中国专利 :CN1894093B ,2007-01-10

[9]

一种在硅衬底上生长氮化镓薄膜的方法 [P].

王晓亮 ;

李百泉 ;

肖红领 .

中国专利 :CN110752146A ,2020-02-04

[10]

一种在氮化镓衬底上制备高质量准二维钙钛矿薄膜的方法 [P].

孙蕊 ;

孙晓娟 ;

黎大兵 ;

于伟利 ;

蒋科 ;

贲建伟 ;

张山丽 ;

贾玉萍 ;

刘明睿 .

中国专利 :CN120882277A ,2025-10-31

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