用于高质量同质外延的连位氮化镓衬底

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200480037136.4

申请日：

2004-11-12

公开(公告)号：

CN1894093B

公开(公告)日：

2007-01-10

发明(设计)人：

罗伯特·P·沃多徐学平杰弗里·S·弗林乔治·R·布兰德斯

申请人：

申请人地址：

美国北卡罗来纳州

IPC主分类号：

B32B900

IPC分类号：

C30B2938 C30B2940 H01L2146

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

余刚;李丙林

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-01-10	公开	公开
2007-03-07	实质审查的生效	实质审查的生效
2022-01-07	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):B32B 9/00 变更事项:专利权人变更前:克利公司变更后:沃孚半导体公司变更事项:地址变更前:美国北卡罗来纳州变更后:美国北卡罗来纳州
2011-04-20	授权	授权

共 50 条

[1]

同质外延氮化镓衬底处理方法及氮化镓衬底 [P].

王元刚 ;

冯志红 ;

吕元杰 ;

张志荣 ;

周幸叶 ;

谭鑫 ;

宋旭波 ;

梁士雄 .

中国专利 :CN110797259B ,2020-02-14

[2]

一种基于氮化镓衬底的高质量氮化镓外延薄膜的生长方法 [P].

李亮 .

中国专利 :CN102719887B ,2012-10-10

[3]

氮化镓同质外延方法 [P].

王瑞 ;

庄文荣 ;

孙明 ;

颜建峰 ;

敖辉 .

中国专利 :CN115692174A ,2023-02-03

[4]

同质外延生长的氮化镓的方法及氮化镓材料 [P].

蔡亚伟 ;

张育民 ;

夏嵩渊 ;

王建峰 ;

徐科 .

中国专利 :CN114496749A ,2022-05-13

[5]

无掩膜横向外延生长高质量氮化镓 [P].

修向前 ;

张荣 ;

陈琳 ;

谢自力 ;

顾书林 ;

施毅 ;

韩平 ;

沈波 ;

江若琏 ;

朱顺明 ;

胡立群 ;

郑有炓 .

中国专利 :CN1300387C ,2005-06-29

[6]

横向外延生长高质量氮化镓薄膜的方法 [P].

张荣 ;

修向前 ;

顾书林 ;

卢佃清 ;

毕朝霞 ;

沈波 ;

江若琏 ;

施毅 ;

朱顺明 ;

韩平 ;

胡立群 ;

郑有炓 .

中国专利 :CN1174470C ,2003-01-08

[7]

利用双成核层生长高质量氮化镓外延结构的方法 [P].

梁萌 ;

李鸿渐 ;

姚然 ;

李志聪 ;

李盼盼 ;

王兵 ;

李璟 ;

伊晓燕 ;

王军喜 ;

王国宏 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN102544271A ,2012-07-04

[8]

氮化镓晶体、同质外延氮化镓基器件及其制造方法 [P].

马克·P·德维林 ;

朴东实 ;

史蒂文·F·莱博厄夫 ;

拉里·B·罗兰 ;

克里斯蒂·J·纳兰 ;

洪慧聪 ;

彼得·M·桑维克 .

中国专利 :CN100474511C ,2006-03-15

[9]

一种高质量氮化铝薄膜的同质外延生长方法 [P].

罗伟科 ;

李忠辉 .

中国专利 :CN111188090A ,2020-05-22

[10]

一种高质量氧化镓薄膜及其同质外延生长方法 [P].

董鑫 ;

张源涛 ;

李赜明 ;

张宝林 ;

焦腾 ;

李万程 .

中国专利 :CN110911270A ,2020-03-24

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