同质外延生长的氮化镓的方法及氮化镓材料

被引：0

申请号：

CN202210088289.1

申请日：

2022-01-25

公开(公告)号：

CN114496749A

公开(公告)日：

2022-05-13

发明(设计)人：

蔡亚伟张育民夏嵩渊王建峰徐科

申请人：

申请人地址：

215123 江苏省苏州市工业园区若水路398号

IPC主分类号：

H01L21265

IPC分类号：

H01L2102 C23C1630

代理机构：

苏州三英知识产权代理有限公司 32412

代理人：

仲崇明

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-05-31	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/265 申请日:20220125
2022-05-13	公开	公开

共 50 条

[1]

一种同质外延生长氮化镓的方法、氮化镓材料及应用 [P].

徐俞 ;

王建峰 ;

徐科 .

中国专利 :CN109841497B ,2019-06-04

[2]

镓极性面氮化镓材料及同质外延生长方法 [P].

薛军帅 ;

杨雪妍 ;

李蓝星 ;

姚佳佳 ;

孙志鹏 ;

张赫朋 ;

刘芳 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN112750689A ,2021-05-04

[3]

氮化镓同质外延方法 [P].

王瑞 ;

庄文荣 ;

孙明 ;

颜建峰 ;

敖辉 .

中国专利 :CN115692174A ,2023-02-03

[4]

氮化镓层及其同质外延生长方法 [P].

罗晓菊 ;

王颖慧 ;

特洛伊·乔纳森·贝克 .

中国专利 :CN112820633B ,2024-01-16

[5]

氮化镓层及其同质外延生长方法 [P].

罗晓菊 ;

王颖慧 ;

特洛伊·乔纳森·贝克 .

中国专利 :CN112820633A ,2021-05-18

[6]

同质外延氮化镓衬底处理方法及氮化镓衬底 [P].

王元刚 ;

冯志红 ;

吕元杰 ;

张志荣 ;

周幸叶 ;

谭鑫 ;

宋旭波 ;

梁士雄 .

中国专利 :CN110797259B ,2020-02-14

[7]

氮化镓薄膜材料外延生长的方法 [P].

闫发旺 ;

张峰 ;

赵倍吉 ;

刘春雪 ;

李晨 .

中国专利 :CN106876250B ,2017-06-20

[8]

一种氮化镓外延层的生长方法以及氮化镓外延层 [P].

王建峰 .

中国专利 :CN117832062A ,2024-04-05

[9]

用于外延生长氮化镓晶体的复合衬底及氮化镓外延结构 [P].

王国斌 ;

王建峰 ;

徐科 .

中国专利 :CN213459739U ,2021-06-15

[10]

氮化镓外延层的制备方法及氮化镓外延层 [P].

尹甲运 ;

房玉龙 ;

王波 ;

郭艳敏 ;

张志荣 ;

李佳 ;

芦伟立 .

中国专利 :CN109119333B ,2019-01-01

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