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一种氮化镓外延层的生长方法以及氮化镓外延层
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202410013319.1
申请日
:
2024-01-04
公开(公告)号
:
CN117832062A
公开(公告)日
:
2024-04-05
发明(设计)人
:
王建峰
申请人
:
苏州纳维科技有限公司
申请人地址
:
215101 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20幢518室
IPC主分类号
:
H01L21/02
IPC分类号
:
代理机构
:
苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257
代理人
:
李艾
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
江苏省 苏州市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-04-23
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/02申请日:20240104
2024-04-05
公开
公开
共 50 条
[1]
氮化镓层及其同质外延生长方法
[P].
罗晓菊
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
镓特半导体科技(上海)有限公司
镓特半导体科技(上海)有限公司
罗晓菊
;
王颖慧
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机构:
镓特半导体科技(上海)有限公司
镓特半导体科技(上海)有限公司
王颖慧
;
特洛伊·乔纳森·贝克
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
镓特半导体科技(上海)有限公司
镓特半导体科技(上海)有限公司
特洛伊·乔纳森·贝克
.
中国专利
:CN112820633B
,2024-01-16
[2]
氮化镓层及其同质外延生长方法
[P].
罗晓菊
论文数:
0
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0
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0
罗晓菊
;
王颖慧
论文数:
0
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0
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王颖慧
;
特洛伊·乔纳森·贝克
论文数:
0
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特洛伊·乔纳森·贝克
.
中国专利
:CN112820633A
,2021-05-18
[3]
氮化镓外延层的制备方法及氮化镓外延层
[P].
尹甲运
论文数:
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尹甲运
;
房玉龙
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房玉龙
;
王波
论文数:
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王波
;
郭艳敏
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郭艳敏
;
张志荣
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张志荣
;
李佳
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李佳
;
芦伟立
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芦伟立
.
中国专利
:CN109119333B
,2019-01-01
[4]
氮化镓外延层
[P].
李克涛
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李克涛
;
杜晓沨
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杜晓沨
;
李宁
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李宁
;
张信
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0
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张信
.
中国专利
:CN114447096A
,2022-05-06
[5]
氮化镓外延层及其形成方法
[P].
徐琳
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徐琳
.
中国专利
:CN114121611A
,2022-03-01
[6]
氮化镓外延层及其形成方法
[P].
徐琳
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机构:
苏州纳维科技有限公司
苏州纳维科技有限公司
徐琳
.
中国专利
:CN114121611B
,2025-08-26
[7]
同质外延生长的氮化镓的方法及氮化镓材料
[P].
蔡亚伟
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蔡亚伟
;
张育民
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张育民
;
夏嵩渊
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0
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夏嵩渊
;
王建峰
论文数:
0
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王建峰
;
徐科
论文数:
0
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0
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徐科
.
中国专利
:CN114496749A
,2022-05-13
[8]
氮化镓外延层的制造方法
[P].
B·比尤蒙特
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B·比尤蒙特
;
P·吉巴尔特
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P·吉巴尔特
;
J-C·古劳姆
论文数:
0
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J-C·古劳姆
;
G·纳塔夫
论文数:
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G·纳塔夫
;
M·维尔
论文数:
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M·维尔
;
S·哈佛兹
论文数:
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S·哈佛兹
.
中国专利
:CN1279733A
,2001-01-10
[9]
一种氮化镓外延层的制备方法及氮化镓外延片结构
[P].
李利哲
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李利哲
;
刘宗亮
论文数:
0
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0
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刘宗亮
.
中国专利
:CN113643962B
,2021-11-12
[10]
氮化镓外延结构
[P].
徐琳
论文数:
0
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0
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0
徐琳
.
中国专利
:CN216624314U
,2022-05-27
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