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一种氮化镓外延层的制备方法及氮化镓外延片结构
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202111217872.X
申请日
:
2021-10-19
公开(公告)号
:
CN113643962B
公开(公告)日
:
2021-11-12
发明(设计)人
:
李利哲
刘宗亮
申请人
:
申请人地址
:
215000 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城中北区23幢214室
IPC主分类号
:
H01L2102
IPC分类号
:
H01L29205
C23C1612
C23C1630
代理机构
:
苏州智品专利代理事务所(普通合伙) 32345
代理人
:
唐学青
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-12-10
授权
授权
2021-11-30
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20211019
2021-11-12
公开
公开
共 50 条
[1]
氮化镓外延层的制备方法及氮化镓外延层
[P].
尹甲运
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尹甲运
;
房玉龙
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房玉龙
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王波
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王波
;
郭艳敏
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郭艳敏
;
张志荣
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张志荣
;
李佳
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李佳
;
芦伟立
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芦伟立
.
中国专利
:CN109119333B
,2019-01-01
[2]
氮化镓外延层
[P].
李克涛
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李克涛
;
杜晓沨
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杜晓沨
;
李宁
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李宁
;
张信
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张信
.
中国专利
:CN114447096A
,2022-05-06
[3]
氮化镓外延片、外延方法及氮化镓基晶体管
[P].
郭艳敏
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郭艳敏
;
房玉龙
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房玉龙
;
尹甲运
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尹甲运
;
张志荣
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张志荣
;
王波
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王波
;
李佳
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李佳
;
芦伟立
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芦伟立
;
高楠
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高楠
;
冯志红
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冯志红
.
中国专利
:CN108155224A
,2018-06-12
[4]
氮化镓外延结构
[P].
徐琳
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徐琳
.
中国专利
:CN216624314U
,2022-05-27
[5]
一种氮化镓外延层的生长方法以及氮化镓外延层
[P].
王建峰
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机构:
苏州纳维科技有限公司
苏州纳维科技有限公司
王建峰
.
中国专利
:CN117832062A
,2024-04-05
[6]
氮化镓外延片的钝化方法
[P].
王波
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王波
;
房玉龙
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房玉龙
;
尹甲运
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尹甲运
;
张志荣
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张志荣
;
郭艳敏
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郭艳敏
;
李佳
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李佳
;
芦伟立
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芦伟立
;
冯志红
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冯志红
.
中国专利
:CN107644813A
,2018-01-30
[7]
氮化镓外延结构制备方法
[P].
石以瑄
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机构:
合肥昆仑芯星半导体有限公司
合肥昆仑芯星半导体有限公司
石以瑄
;
韩露
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机构:
合肥昆仑芯星半导体有限公司
合肥昆仑芯星半导体有限公司
韩露
;
林平澜
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机构:
合肥昆仑芯星半导体有限公司
合肥昆仑芯星半导体有限公司
林平澜
;
石鹏环
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机构:
合肥昆仑芯星半导体有限公司
合肥昆仑芯星半导体有限公司
石鹏环
.
中国专利
:CN119630017A
,2025-03-14
[8]
氮化镓外延层的制造方法
[P].
B·比尤蒙特
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B·比尤蒙特
;
P·吉巴尔特
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P·吉巴尔特
;
J-C·古劳姆
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J-C·古劳姆
;
G·纳塔夫
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G·纳塔夫
;
M·维尔
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M·维尔
;
S·哈佛兹
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S·哈佛兹
.
中国专利
:CN1279733A
,2001-01-10
[9]
氮化镓外延结构及制备方法
[P].
杜飞
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机构:
北京中博芯半导体科技有限公司
北京中博芯半导体科技有限公司
杜飞
;
张立胜
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机构:
北京中博芯半导体科技有限公司
北京中博芯半导体科技有限公司
张立胜
;
杨学林
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机构:
北京中博芯半导体科技有限公司
北京中博芯半导体科技有限公司
杨学林
;
沈波
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机构:
北京中博芯半导体科技有限公司
北京中博芯半导体科技有限公司
沈波
;
陈正昊
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机构:
北京中博芯半导体科技有限公司
北京中博芯半导体科技有限公司
陈正昊
;
卢国军
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机构:
北京中博芯半导体科技有限公司
北京中博芯半导体科技有限公司
卢国军
.
中国专利
:CN121152277A
,2025-12-16
[10]
一种氮化镓外延片及其制备方法
[P].
李利哲
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机构:
江苏第三代半导体研究院有限公司
江苏第三代半导体研究院有限公司
李利哲
.
中国专利
:CN115312584B
,2025-07-22
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