氮化镓外延层

被引：0

申请号：

CN202111116823.7

申请日：

2021-09-23

公开(公告)号：

CN114447096A

公开(公告)日：

2022-05-06

发明(设计)人：

李克涛杜晓沨李宁张信

申请人：

申请人地址：

美国纽约阿芒克

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L29778 H01L2102 H01L21335

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

张昊

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-05-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20210923
2022-05-06	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化镓外延层的制备方法及氮化镓外延层 [P].

尹甲运 ;

房玉龙 ;

王波 ;

郭艳敏 ;

张志荣 ;

李佳 ;

芦伟立 .

中国专利 :CN109119333B ,2019-01-01

[2]

氮化镓外延层及半导体器件 [P].

林信南 ;

刘美华 ;

刘岩军 .

中国专利 :CN210866192U ,2020-06-26

[3]

氮化镓外延层及半导体器件 [P].

林信南 ;

刘美华 ;

刘岩军 .

中国专利 :CN210897292U ,2020-06-30

[4]

一种氮化镓外延层的生长方法以及氮化镓外延层 [P].

王建峰 .

中国专利 :CN117832062A ,2024-04-05

[5]

氮化镓外延层的制造方法 [P].

B·比尤蒙特 ;

P·吉巴尔特 ;

J－C·古劳姆 ;

G·纳塔夫 ;

M·维尔 ;

S·哈佛兹 .

中国专利 :CN1279733A ,2001-01-10

[6]

氮化镓外延结构 [P].

徐琳 .

中国专利 :CN216624314U ,2022-05-27

[7]

一种氮化镓外延层的制备方法及氮化镓外延片结构 [P].

李利哲 ;

刘宗亮 .

中国专利 :CN113643962B ,2021-11-12

[8]

氮化镓外延层及其形成方法 [P].

徐琳 .

中国专利 :CN114121611A ,2022-03-01

[9]

氮化镓外延层及其形成方法 [P].

徐琳 .

中国专利 :CN114121611B ,2025-08-26

[10]

一种氮化镓外延层及半导体器件 [P].

林信南 ;

刘美华 ;

刘岩军 .

中国专利 :CN210866191U ,2020-06-26

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