用于外延生长氮化镓晶体的复合衬底及氮化镓外延结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202023061674.2

申请日：

2020-12-17

公开(公告)号：

CN213459739U

公开(公告)日：

2021-06-15

发明(设计)人：

王国斌王建峰徐科

申请人：

申请人地址：

215000 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城中北区23幢214室

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2920 H01L2930

代理机构：

南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256

代理人：

赵世发

法律状态：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-15	授权	授权

共 50 条

[1]

氮化镓外延结构 [P].

徐琳 .

中国专利 :CN216624314U ,2022-05-27

[2]

氮化镓晶体生长方法、氮化镓晶体衬底、外延晶片制造方法和外延晶片 [P].

藤田俊介 .

中国专利 :CN101353819A ,2009-01-28

[3]

同质外延生长的氮化镓的方法及氮化镓材料 [P].

蔡亚伟 ;

张育民 ;

夏嵩渊 ;

王建峰 ;

徐科 .

中国专利 :CN114496749A ,2022-05-13

[4]

同质外延氮化镓衬底处理方法及氮化镓衬底 [P].

王元刚 ;

冯志红 ;

吕元杰 ;

张志荣 ;

周幸叶 ;

谭鑫 ;

宋旭波 ;

梁士雄 .

中国专利 :CN110797259B ,2020-02-14

[5]

氮化镓外延片、外延方法及氮化镓基晶体管 [P].

郭艳敏 ;

房玉龙 ;

尹甲运 ;

张志荣 ;

王波 ;

李佳 ;

芦伟立 ;

高楠 ;

冯志红 .

中国专利 :CN108155224A ,2018-06-12

[6]

一种用于氮化镓外延生长的复合衬底 [P].

陆卫 ;

夏长生 ;

李志锋 ;

李宁 ;

张波 ;

王少伟 ;

陈平平 ;

陈效双 ;

陈明法 .

中国专利 :CN1622285A ,2005-06-01

[7]

生长氮化镓的方法、氮化镓外延结构及半导体器件 [P].

肖怀曙 ;

谢春林 .

中国专利 :CN108242385A ,2018-07-03

[8]

氮化镓薄膜外延生长结构及方法 [P].

李忠辉 ;

陈辰 ;

董逊 .

中国专利 :CN101302648A ,2008-11-12

[9]

用于氮化镓的外延生长的基片 [P].

E·马特曼 ;

P·鲁特勒 ;

F·利恩哈特 .

中国专利 :CN101689511A ,2010-03-31

[10]

采用硅图形衬底生长氮化镓外延方法 [P].

梁辉南 .

中国专利 :CN107910244B ,2018-04-13

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