利用双成核层生长高质量氮化镓外延结构的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210075703.1

申请日：

2012-03-21

公开(公告)号：

CN102544271A

公开(公告)日：

2012-07-04

发明(设计)人：

梁萌李鸿渐姚然李志聪李盼盼王兵李璟伊晓燕王军喜王国宏李晋闽

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

汤保平

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-09-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101322520390 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2012100757031 申请日:20120321
2014-07-09	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101702684130 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2012100757031 申请公布日:20120704
2012-07-04	公开	公开

共 50 条

[1]

一种利用低温过渡层生长高质量氮化镓外延结构的方法 [P].

张志荣 ;

尹甲运 ;

房玉龙 ;

芦伟立 ;

冯志红 .

中国专利 :CN105006427B ,2015-10-28

[2]

横向外延生长高质量氮化镓薄膜的方法 [P].

张荣 ;

修向前 ;

顾书林 ;

卢佃清 ;

毕朝霞 ;

沈波 ;

江若琏 ;

施毅 ;

朱顺明 ;

韩平 ;

胡立群 ;

郑有炓 .

中国专利 :CN1174470C ,2003-01-08

[3]

无掩膜横向外延生长高质量氮化镓 [P].

修向前 ;

张荣 ;

陈琳 ;

谢自力 ;

顾书林 ;

施毅 ;

韩平 ;

沈波 ;

江若琏 ;

朱顺明 ;

胡立群 ;

郑有炓 .

中国专利 :CN1300387C ,2005-06-29

[4]

在图形衬底上生长氮化镓外延结构的方法 [P].

梁萌 ;

李鸿渐 ;

姚然 ;

李志聪 ;

李盼盼 ;

王兵 ;

李璟 ;

伊晓燕 ;

王军喜 ;

王国宏 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN102534769B ,2012-07-04

[5]

利用六方氮化硼纳米片生长高质量氮化镓晶体的方法 [P].

郝霄鹏 ;

李先磊 ;

张雷 ;

邵永亮 ;

吴拥中 ;

戴元滨 ;

田媛 ;

霍勤 .

中国专利 :CN103741221A ,2014-04-23

[6]

利用石墨烯或氧化石墨烯生长高质量氮化镓晶体的方法 [P].

郝霄鹏 ;

李先磊 ;

张雷 ;

邵永亮 ;

吴拥中 ;

戴元滨 ;

田媛 ;

霍勤 .

中国专利 :CN103741220A ,2014-04-23

[7]

一种基于氮化镓衬底的高质量氮化镓外延薄膜的生长方法 [P].

李亮 .

中国专利 :CN102719887B ,2012-10-10

[8]

用于高质量同质外延的连位氮化镓衬底 [P].

罗伯特·P·沃多 ;

徐学平 ;

杰弗里·S·弗林 ;

乔治·R·布兰德斯 .

中国专利 :CN1894093B ,2007-01-10

[9]

生长高阻氮化镓外延膜的方法 [P].

王晓亮 ;

胡国新 ;

王军喜 ;

冉军学 ;

曾一平 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN1704505A ,2005-12-07

[10]

一种在硅衬底上生长高质量氮化镓薄膜的方法 [P].

白俊春 ;

周小伟 ;

景文甲 ;

李培咸 ;

平加峰 .

中国专利 :CN109524292A ,2019-03-26

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