生长高阻氮化镓外延膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410046039.3

申请日：

2004-06-02

公开(公告)号：

CN1704505A

公开(公告)日：

2005-12-07

发明(设计)人：

王晓亮胡国新王军喜冉军学曾一平李晋闽

申请人：

申请人地址：

100083北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

C30B2502

IPC分类号：

C30B2940 H01L21205

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

汤保平

法律状态：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-05-02	授权	授权
2005-12-07	公开	公开
2006-02-01	实质审查的生效	实质审查的生效
2015-07-22	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101617846094 IPC(主分类):C30B 25/02 专利号:ZL2004100460393 申请日:20040602 授权公告日:20070502 终止日期:20140602

共 50 条

[1]

生长高迁移率氮化镓外延膜的方法 [P].

王晓亮 ;

胡国新 ;

王军喜 ;

李建平 ;

曾一平 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN1704506A ,2005-12-07

[2]

生长高质量氮化铟单晶外延膜的方法 [P].

王莉莉 ;

张书明 ;

杨辉 ;

梁骏吾 .

中国专利 :CN101525740B ,2009-09-09

[3]

基于氮化镓核探测器结构的双面氮化镓薄膜外延生长方法 [P].

李亮 ;

罗伟科 .

中国专利 :CN105755535A ,2016-07-13

[4]

采用硅图形衬底生长氮化镓外延方法 [P].

梁辉南 .

中国专利 :CN107910244B ,2018-04-13

[5]

在蓝宝石图形衬底上外延生长氮化物外延膜的方法 [P].

李鸿渐 ;

李盼盼 ;

李志聪 ;

李璟 ;

王国宏 .

中国专利 :CN102394261A ,2012-03-28

[6]

一种提升氮化镓异质外延的界面质量的生长方法 [P].

李传皓 ;

李忠辉 ;

彭大青 ;

陈韬 .

中国专利 :CN111681953B ,2020-09-18

[7]

氮化镓及其化合物半导体的横向外延生长方法 [P].

冯淦 ;

杨辉 ;

梁骏吾 .

中国专利 :CN1209793C ,2004-04-21

[8]

一种用石墨烯掩膜生长氮化镓的方法 [P].

曹冰 ;

陈王义博 ;

徐立跃 ;

李路 ;

杨帆 .

中国专利 :CN111668089A ,2020-09-15

[9]

同质外延生长的氮化镓的方法及氮化镓材料 [P].

蔡亚伟 ;

张育民 ;

夏嵩渊 ;

王建峰 ;

徐科 .

中国专利 :CN114496749A ,2022-05-13

[10]

基于石墨烯的氮化镓外延层剥离方法 [P].

宁静 ;

贾彦青 ;

张进成 ;

闫朝超 ;

王东 ;

王博宇 ;

马佩军 ;

郝跃 .

中国专利 :CN110265356B ,2019-09-20

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