一种提升氮化镓异质外延的界面质量的生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010428789.6

申请日：

2020-05-20

公开(公告)号：

CN111681953B

公开(公告)日：

2020-09-18

发明(设计)人：

李传皓李忠辉彭大青陈韬

申请人：

申请人地址：

210016 江苏省南京市秦淮区中山东路524号

IPC主分类号：

H01L2120

IPC分类号：

H01L21205 H01L2102 H01L2167 H01L21335

代理机构：

南京经纬专利商标代理有限公司 32200

代理人：

施昊

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-09-18	公开	公开
2022-08-16	授权	授权
2020-10-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/20 申请日:20200520

共 50 条

[1]

一种改善氮化镓异质外延与衬底间界面形貌的外延方法 [P].

李传皓 ;

李忠辉 ;

彭大青 .

中国专利 :CN113802178A ,2021-12-17

[2]

一种氮化镓异质结材料及其外延生长方法 [P].

彭大青 ;

李忠辉 ;

李传皓 ;

杨乾坤 .

中国专利 :CN117712159A ,2024-03-15

[3]

一种改善铟镓氮外延材料表面质量的生长方法 [P].

李亮 ;

罗伟科 .

中国专利 :CN103710757A ,2014-04-09

[4]

基于氮化镓核探测器结构的双面氮化镓薄膜外延生长方法 [P].

李亮 ;

罗伟科 .

中国专利 :CN105755535A ,2016-07-13

[5]

一种氮化物外延片的生长方法及氮化镓激光器 [P].

王文杰 ;

龙衡 ;

李俊泽 ;

李沫 ;

张健 .

中国专利 :CN106868472B ,2017-06-20

[6]

生长高阻氮化镓外延膜的方法 [P].

王晓亮 ;

胡国新 ;

王军喜 ;

冉军学 ;

曾一平 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN1704505A ,2005-12-07

[7]

一种氮化镓异质结材料结构及其生长方法 [P].

彭大青 ;

李传皓 ;

杨乾坤 ;

周书同 .

中国专利 :CN119677126A ,2025-03-21

[8]

一种提高超薄氮化镓场效应管晶体质量的外延方法 [P].

张东国 ;

李忠辉 .

中国专利 :CN112687525B ,2021-04-20

[9]

一种硅重掺杂氮化镓异质外延的材料结构及应力控制方法 [P].

李传皓 ;

李忠辉 ;

潘传奇 .

中国专利 :CN110957354B ,2020-04-03

[10]

氮化镓及其化合物半导体的横向外延生长方法 [P].

冯淦 ;

杨辉 ;

梁骏吾 .

中国专利 :CN1209793C ,2004-04-21

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