一种用石墨烯掩膜生长氮化镓的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010546964.1

申请日：

2020-06-16

公开(公告)号：

CN111668089A

公开(公告)日：

2020-09-15

发明(设计)人：

曹冰陈王义博徐立跃李路杨帆

申请人：

申请人地址：

215137 江苏省苏州市相城区济学路8号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

代理机构：

苏州智品专利代理事务所(普通合伙) 32345

代理人：

王利斌

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-09-15	公开	公开
2020-10-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20200616

共 50 条

[1]

一种石墨烯掩膜法生长氮化镓的半导体结构 [P].

陈王义博 ;

曹冰 ;

徐立跃 ;

李路 ;

杨帆 .

中国专利 :CN213071068U ,2021-04-27

[2]

一种用自消失的石墨烯掩膜生长氮化镓的方法 [P].

曹冰 ;

陈王义博 ;

徐立跃 ;

李路 ;

杨帆 .

中国专利 :CN113241297A ,2021-08-10

[3]

一种石墨烯掩膜生长氮化镓的衬底 [P].

陈王义博 ;

曹冰 ;

徐立跃 ;

李路 ;

杨帆 .

中国专利 :CN214797333U ,2021-11-19

[4]

基于石墨烯的氮化镓外延层剥离方法 [P].

宁静 ;

贾彦青 ;

张进成 ;

闫朝超 ;

王东 ;

王博宇 ;

马佩军 ;

郝跃 .

中国专利 :CN110265356B ,2019-09-20

[5]

在基于图形化蓝宝石衬底的石墨烯上生长氮化镓的方法 [P].

宁静 ;

闫朝超 ;

王东 ;

张进成 ;

贾彦青 ;

王博宇 .

中国专利 :CN110289207A ,2019-09-27

[6]

基于石墨烯插入层结构的氮化镓生长方法 [P].

张进成 ;

许新鹏 ;

陈智斌 ;

宁静 ;

王东 ;

郝跃 .

中国专利 :CN108428618A ,2018-08-21

[7]

生长高阻氮化镓外延膜的方法 [P].

王晓亮 ;

胡国新 ;

王军喜 ;

冉军学 ;

曾一平 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN1704505A ,2005-12-07

[8]

基于原子层沉积氮化铝的氮化镓生长方法和氮化镓激光器 [P].

王文杰 ;

李俊泽 ;

龙衡 ;

李沫 ;

张健 .

中国专利 :CN106868596A ,2017-06-20

[9]

石墨烯改性图形化金属衬底上的氮化镓基薄膜及制备方法 [P].

秦福文 ;

马春雨 ;

白亦真 ;

王德君 ;

林国强 .

中国专利 :CN107083535A ,2017-08-22

[10]

氮化镓及其化合物半导体的横向外延生长方法 [P].

冯淦 ;

杨辉 ;

梁骏吾 .

中国专利 :CN1209793C ,2004-04-21

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