一种石墨烯掩膜法生长氮化镓的半导体结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202021109584.3

申请日：

2020-06-16

公开(公告)号：

CN213071068U

公开(公告)日：

2021-04-27

发明(设计)人：

陈王义博曹冰徐立跃李路杨帆

申请人：

申请人地址：

215137 江苏省苏州市相城区济学路8号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

代理机构：

苏州智品专利代理事务所(普通合伙) 32345

代理人：

王利斌

法律状态：

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-04-27	授权	授权

共 50 条

[1]

一种用石墨烯掩膜生长氮化镓的方法 [P].

曹冰 ;

陈王义博 ;

徐立跃 ;

李路 ;

杨帆 .

中国专利 :CN111668089A ,2020-09-15

[2]

一种用自消失的石墨烯掩膜生长氮化镓的方法 [P].

曹冰 ;

陈王义博 ;

徐立跃 ;

李路 ;

杨帆 .

中国专利 :CN113241297A ,2021-08-10

[3]

一种石墨烯掩膜生长氮化镓的衬底 [P].

陈王义博 ;

曹冰 ;

徐立跃 ;

李路 ;

杨帆 .

中国专利 :CN214797333U ,2021-11-19

[4]

氮化镓及其化合物半导体的横向外延生长方法 [P].

冯淦 ;

杨辉 ;

梁骏吾 .

中国专利 :CN1209793C ,2004-04-21

[5]

基于石墨烯插入层结构的氮化镓生长方法 [P].

张进成 ;

许新鹏 ;

陈智斌 ;

宁静 ;

王东 ;

郝跃 .

中国专利 :CN108428618A ,2018-08-21

[6]

一种基于六方氮化硼‑石墨烯复合层作为缓冲层的氮化镓外延结构的制备方法 [P].

王文杰 ;

李沫 ;

李俊泽 ;

张建 ;

杨浩军 ;

谢武泽 ;

邓泽佳 ;

代刚 ;

张健 .

中国专利 :CN107706274A ,2018-02-16

[7]

一种基于二硫化钼-石墨烯复合缓冲层的氮化镓外延结构的制备方法 [P].

王文杰 ;

李沫 ;

李俊泽 ;

张建 ;

杨浩军 ;

谢武泽 ;

邓泽佳 ;

代刚 ;

张健 .

中国专利 :CN107768235B ,2018-03-06

[8]

在基于图形化蓝宝石衬底的石墨烯上生长氮化镓的方法 [P].

宁静 ;

闫朝超 ;

王东 ;

张进成 ;

贾彦青 ;

王博宇 .

中国专利 :CN110289207A ,2019-09-27

[9]

基于氮化镓生长半导体异质结构的方法 [P].

弗拉季米尔·西蒙诺维奇·阿布拉莫夫 ;

诺姆·佩托维奇·索西沁 ;

瓦列里·佩托维奇·苏切科夫 ;

尼古拉·瓦伦蒂诺维奇·施切巴科夫 ;

弗拉季米尔·瓦拉迪米诺维奇·艾伦科夫 ;

塞尔盖·亚历克桑德诺维奇·萨克哈若夫 ;

弗拉季米尔·亚历克桑德诺维奇·戈比列夫 .

中国专利 :CN103215648A ,2013-07-24

[10]

在石墨烯上基于磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法 [P].

张进成 ;

陈智斌 ;

吕佳骐 ;

郝跃 .

中国专利 :CN105734530B ,2016-07-06

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