一种基于二硫化钼-石墨烯复合缓冲层的氮化镓外延结构的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711007169.X

申请日：

2017-10-25

公开(公告)号：

CN107768235B

公开(公告)日：

2018-03-06

发明(设计)人：

王文杰李沫李俊泽张建杨浩军谢武泽邓泽佳代刚张健

申请人：

申请人地址：

621999 四川省绵阳市游仙区绵山路64号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

代理机构：

成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211

代理人：

何涛

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-03-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20171025
2019-11-22	授权	授权
2018-03-06	公开	公开

共 50 条

[1]

一种基于六方氮化硼‑石墨烯复合层作为缓冲层的氮化镓外延结构的制备方法 [P].

王文杰 ;

李沫 ;

李俊泽 ;

张建 ;

杨浩军 ;

谢武泽 ;

邓泽佳 ;

代刚 ;

张健 .

中国专利 :CN107706274A ,2018-02-16

[2]

基于石墨烯的氮化镓外延层剥离方法 [P].

宁静 ;

贾彦青 ;

张进成 ;

闫朝超 ;

王东 ;

王博宇 ;

马佩军 ;

郝跃 .

中国专利 :CN110265356B ,2019-09-20

[3]

基于石墨烯插入层结构的氮化镓生长方法 [P].

张进成 ;

许新鹏 ;

陈智斌 ;

宁静 ;

王东 ;

郝跃 .

中国专利 :CN108428618A ,2018-08-21

[4]

一种氮化物外延片的生长方法及氮化镓激光器 [P].

王文杰 ;

龙衡 ;

李俊泽 ;

李沫 ;

张健 .

中国专利 :CN106868472B ,2017-06-20

[5]

一种二硫化钼‑石墨烯复合纳米片的制备 [P].

岳红彦 ;

宋姗姗 ;

高鑫 ;

王宝 ;

张宏杰 .

中国专利 :CN107902920A ,2018-04-13

[6]

外延结构的缓冲层的制备方法、氮化镓外延层的制备方法 [P].

邢国兵 .

中国专利 :CN114743876A ,2022-07-12

[7]

一种以镓液滴作为缓冲层外延GaN的结构及其制备方法 [P].

逯瑶 ;

曲爽 ;

王成新 ;

徐现刚 .

中国专利 :CN105070804A ,2015-11-18

[8]

镀金金属衬底上的氮化铝镓铟/二硫化钼钨膜及制备方法 [P].

秦福文 ;

马春雨 ;

白亦真 ;

王德君 ;

林国强 .

中国专利 :CN107086175A ,2017-08-22

[9]

一种用石墨烯掩膜生长氮化镓的方法 [P].

曹冰 ;

陈王义博 ;

徐立跃 ;

李路 ;

杨帆 .

中国专利 :CN111668089A ,2020-09-15

[10]

基于石墨烯/二硫化钼复合的气体敏感材料的制备方法 [P].

矫维成 ;

牛越 ;

王荣国 ;

丁国民 ;

黄亦凡 ;

郝立峰 ;

杨帆 ;

徐忠海 .

中国专利 :CN104792830B ,2015-07-22

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