镀金金属衬底上的氮化铝镓铟/二硫化钼钨膜及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710252866.5

申请日：

2017-04-18

公开(公告)号：

CN107086175A

公开(公告)日：

2017-08-22

发明(设计)人：

秦福文马春雨白亦真王德君林国强

申请人：

申请人地址：

116024 辽宁省大连市甘井子区凌工路2号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L29267 C23C1435 C23C1416 C23C1634 C23C1630 C23C2800

代理机构：

大连理工大学专利中心 21200

代理人：

温福雪;侯明远

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-09-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101748361431 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2017102528665 申请日:20170418
2017-08-22	公开	公开
2019-11-19	授权	授权

共 50 条

[1]

石墨烯改性图形化金属衬底上的氮化镓基薄膜及制备方法 [P].

秦福文 ;

马春雨 ;

白亦真 ;

王德君 ;

林国强 .

中国专利 :CN107083535A ,2017-08-22

[2]

柔性透明聚酰亚胺衬底上的氮化铟镓薄膜及其制备方法 [P].

秦福文 ;

马春雨 ;

卢康 ;

白亦真 ;

林国强 ;

王德君 .

中国专利 :CN108831823B ,2018-11-16

[3]

一种二硫化钼/氮化铝镓混维异质结构的制备方法 [P].

蹇鹏承 ;

赵永明 ;

吴峰 ;

陈长清 ;

戴江南 .

中国专利 :CN117702263A ,2024-03-15

[4]

基于二硫化钼和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法 [P].

张进成 ;

庞凯 ;

陈智斌 ;

吕佳骐 ;

朱家铎 ;

许晟瑞 ;

林志宇 ;

宁静 ;

张金风 ;

郝跃 .

中国专利 :CN105810562A ,2016-07-27

[5]

一种基于二硫化钼-石墨烯复合缓冲层的氮化镓外延结构的制备方法 [P].

王文杰 ;

李沫 ;

李俊泽 ;

张建 ;

杨浩军 ;

谢武泽 ;

邓泽佳 ;

代刚 ;

张健 .

中国专利 :CN107768235B ,2018-03-06

[6]

一种泡沫金属‑石墨烯复合衬底上的光催化薄膜及制备方法 [P].

秦永泽 .

中国专利 :CN107649165A ,2018-02-02

[7]

基于六方氮化硼和氮化铝在金刚石衬底上生长氮化镓的方法 [P].

宁静 ;

刘起显 ;

王东 ;

张进成 ;

贾彦青 ;

闫朝超 ;

郝跃 .

中国专利 :CN110690105B ,2020-01-14

[8]

氮化镓二硫化钼混合尺度PN结的制备方法 [P].

曹玉洁 ;

陈敦军 ;

谢自力 .

中国专利 :CN111430244B ,2020-07-17

[9]

一种二硫化钼薄膜的制备方法及二硫化钼薄膜 [P].

高庆国 ;

陈思敏 ;

陈滤成 ;

许哲铨 ;

张崇富 ;

潘新建 ;

于淼 ;

陈又鲜 .

中国专利 :CN115058700A ,2022-09-16

[10]

基于衬底硫化预处理的单层二硫化钼的制备方法 [P].

丛春晓 ;

杨鹏 ;

仇志军 ;

刘冉 .

中国专利 :CN110451564B ,2019-11-15

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