基于石墨烯的氮化镓外延层剥离方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910544984.2

申请日：

2019-06-21

公开(公告)号：

CN110265356B

公开(公告)日：

2019-09-20

发明(设计)人：

宁静贾彦青张进成闫朝超王东王博宇马佩军郝跃

申请人：

申请人地址：

710071 陕西省西安市雁塔区太白南路2号

IPC主分类号：

H01L2178

IPC分类号：

H01L2102

代理机构：

陕西电子工业专利中心 61205

代理人：

王品华

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-04-06	授权	授权
2020-07-03	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 21/78 变更事项:发明人变更前:宁静贾彦青张进成闫朝超王东王博宇变更后:宁静贾彦青张进成闫朝超王东王博宇马佩军郝跃
2019-09-20	公开	公开
2019-10-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/78 申请日:20190621

共 50 条

[1]

在基于图形化蓝宝石衬底的石墨烯上生长氮化镓的方法 [P].

宁静 ;

闫朝超 ;

王东 ;

张进成 ;

贾彦青 ;

王博宇 .

中国专利 :CN110289207A ,2019-09-27

[2]

基于石墨烯插入层结构的氮化镓生长方法 [P].

张进成 ;

许新鹏 ;

陈智斌 ;

宁静 ;

王东 ;

郝跃 .

中国专利 :CN108428618A ,2018-08-21

[3]

一种基于六方氮化硼‑石墨烯复合层作为缓冲层的氮化镓外延结构的制备方法 [P].

王文杰 ;

李沫 ;

李俊泽 ;

张建 ;

杨浩军 ;

谢武泽 ;

邓泽佳 ;

代刚 ;

张健 .

中国专利 :CN107706274A ,2018-02-16

[4]

一种基于二硫化钼-石墨烯复合缓冲层的氮化镓外延结构的制备方法 [P].

王文杰 ;

李沫 ;

李俊泽 ;

张建 ;

杨浩军 ;

谢武泽 ;

邓泽佳 ;

代刚 ;

张健 .

中国专利 :CN107768235B ,2018-03-06

[5]

将氮化镓外延层从衬底上剥离的方法 [P].

陈辰 ;

宋杰 ;

崔周源 .

中国专利 :CN109585615B ,2019-04-05

[6]

基于氮化镓核探测器结构的双面氮化镓薄膜外延生长方法 [P].

李亮 ;

罗伟科 .

中国专利 :CN105755535A ,2016-07-13

[7]

在石墨烯上基于磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法 [P].

张进成 ;

陈智斌 ;

吕佳骐 ;

郝跃 .

中国专利 :CN105734530B ,2016-07-06

[8]

氮化镓外延层的制备方法及氮化镓外延层 [P].

尹甲运 ;

房玉龙 ;

王波 ;

郭艳敏 ;

张志荣 ;

李佳 ;

芦伟立 .

中国专利 :CN109119333B ,2019-01-01

[9]

一种用石墨烯掩膜生长氮化镓的方法 [P].

曹冰 ;

陈王义博 ;

徐立跃 ;

李路 ;

杨帆 .

中国专利 :CN111668089A ,2020-09-15

[10]

基于石墨烯与磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法 [P].

张进成 ;

陈智斌 ;

吕佳骐 ;

郝跃 .

中国专利 :CN105633225A ,2016-06-01

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