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将氮化镓外延层从衬底上剥离的方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201811473218.3
申请日
:
2018-12-04
公开(公告)号
:
CN109585615B
公开(公告)日
:
2019-04-05
发明(设计)人
:
陈辰
宋杰
崔周源
申请人
:
申请人地址
:
710003 陕西省西安市长安区上林苑一路15号4栋4102室
IPC主分类号
:
H01L3300
IPC分类号
:
H01L2178
H01L21683
代理机构
:
北京金讯知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11554
代理人
:
黄剑飞
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2020-07-24
授权
授权
2019-04-05
公开
公开
2019-04-30
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20181204
共 50 条
[1]
基于石墨烯的氮化镓外延层剥离方法
[P].
宁静
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宁静
;
贾彦青
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贾彦青
;
张进成
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张进成
;
闫朝超
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闫朝超
;
王东
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王东
;
王博宇
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王博宇
;
马佩军
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马佩军
;
郝跃
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郝跃
.
中国专利
:CN110265356B
,2019-09-20
[2]
氮化镓外延层的制备方法及氮化镓外延层
[P].
尹甲运
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尹甲运
;
房玉龙
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房玉龙
;
王波
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王波
;
郭艳敏
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郭艳敏
;
张志荣
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张志荣
;
李佳
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李佳
;
芦伟立
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芦伟立
.
中国专利
:CN109119333B
,2019-01-01
[3]
自剥离氮化镓衬底材料的制备方法
[P].
邱凯
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邱凯
;
尹志军
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尹志军
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李新化
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李新化
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钟飞
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钟飞
;
解新建
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解新建
;
王玉琦
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王玉琦
.
中国专利
:CN100454490C
,2008-04-02
[4]
硅基氮化镓外延层剥离转移的方法
[P].
赵岩
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赵岩
;
吴立枢
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吴立枢
;
程伟
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程伟
;
石归雄
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石归雄
.
中国专利
:CN103985664A
,2014-08-13
[5]
氮化镓外延层
[P].
李克涛
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李克涛
;
杜晓沨
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杜晓沨
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李宁
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李宁
;
张信
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张信
.
中国专利
:CN114447096A
,2022-05-06
[6]
在图形化蓝宝石衬底上生长氮化镓外延层的加工装置
[P].
侯想
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侯想
;
仇凯弘
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仇凯弘
.
中国专利
:CN206259379U
,2017-06-16
[7]
在图形衬底上生长氮化镓外延结构的方法
[P].
梁萌
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梁萌
;
李鸿渐
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李鸿渐
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姚然
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姚然
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李志聪
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李志聪
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李盼盼
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李盼盼
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王兵
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王兵
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李璟
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李璟
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伊晓燕
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伊晓燕
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王军喜
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王军喜
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王国宏
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王国宏
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李晋闽
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李晋闽
.
中国专利
:CN102534769B
,2012-07-04
[8]
一种提高蓝宝石衬底氮化镓外延层均匀性的方法
[P].
邵慧慧
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邵慧慧
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徐现刚
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徐现刚
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曲爽
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曲爽
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王成新
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王成新
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李树强
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李树强
.
中国专利
:CN102856442A
,2013-01-02
[9]
基于衬底剥离工艺的氮化镓器件
[P].
官婧雯
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机构:
苏州英嘉通半导体有限公司
苏州英嘉通半导体有限公司
官婧雯
;
蒋胜
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机构:
苏州英嘉通半导体有限公司
苏州英嘉通半导体有限公司
蒋胜
;
柳永胜
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机构:
苏州英嘉通半导体有限公司
苏州英嘉通半导体有限公司
柳永胜
.
中国专利
:CN221977863U
,2024-11-08
[10]
氮化镓外延层的制造方法
[P].
B·比尤蒙特
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B·比尤蒙特
;
P·吉巴尔特
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P·吉巴尔特
;
J-C·古劳姆
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J-C·古劳姆
;
G·纳塔夫
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G·纳塔夫
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M·维尔
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M·维尔
;
S·哈佛兹
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S·哈佛兹
.
中国专利
:CN1279733A
,2001-01-10
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