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基于衬底剥离工艺的氮化镓器件
被引:0
专利类型
:
实用新型
申请号
:
CN202420196981.0
申请日
:
2024-01-26
公开(公告)号
:
CN221977863U
公开(公告)日
:
2024-11-08
发明(设计)人
:
官婧雯
蒋胜
柳永胜
申请人
:
苏州英嘉通半导体有限公司
申请人地址
:
215133 江苏省苏州市相城区高铁新城南天成路88号天成信息大厦601-A148室
IPC主分类号
:
H01L21/335
IPC分类号
:
H01L29/778
H01L29/43
H01L23/367
H01L23/373
代理机构
:
上海霖睿专利代理事务所(普通合伙) 31391
代理人
:
黄燕石
法律状态
:
授权
国省代码
:
江苏省 苏州市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-11-08
授权
授权
共 50 条
[1]
基于衬底剥离工艺的氮化镓器件及其制备方法
[P].
官婧雯
论文数:
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机构:
苏州英嘉通半导体有限公司
苏州英嘉通半导体有限公司
官婧雯
;
蒋胜
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机构:
苏州英嘉通半导体有限公司
苏州英嘉通半导体有限公司
蒋胜
;
柳永胜
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机构:
苏州英嘉通半导体有限公司
苏州英嘉通半导体有限公司
柳永胜
.
中国专利
:CN118098963A
,2024-05-28
[2]
自剥离氮化镓衬底材料的制备方法
[P].
邱凯
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邱凯
;
尹志军
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尹志军
;
李新化
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李新化
;
钟飞
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钟飞
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解新建
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解新建
;
王玉琦
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王玉琦
.
中国专利
:CN100454490C
,2008-04-02
[3]
一种可剥离蓝宝石衬底的氮化镓基垂直器件制备方法
[P].
刘育青
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刘育青
;
刘超
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刘超
;
孙跃
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孙跃
;
王文博
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王文博
.
中国专利
:CN111668159A
,2020-09-15
[4]
一种可剥离蓝宝石衬底的氮化镓基垂直器件制备方法
[P].
刘育青
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机构:
北京国联万众半导体科技有限公司
北京国联万众半导体科技有限公司
刘育青
;
刘超
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机构:
北京国联万众半导体科技有限公司
北京国联万众半导体科技有限公司
刘超
;
孙跃
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机构:
北京国联万众半导体科技有限公司
北京国联万众半导体科技有限公司
孙跃
;
王文博
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机构:
北京国联万众半导体科技有限公司
北京国联万众半导体科技有限公司
王文博
.
中国专利
:CN111668159B
,2024-10-22
[5]
激光剥离制备自支撑氮化镓衬底的方法
[P].
张荣
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张荣
;
修向前
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修向前
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徐剑
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徐剑
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顾书林
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顾书林
;
卢佃清
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卢佃清
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毕朝霞
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毕朝霞
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沈波
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沈波
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刘治国
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刘治国
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江若琏
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江若琏
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施毅
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施毅
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朱顺明
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朱顺明
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韩平
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韩平
;
胡立群
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胡立群
.
中国专利
:CN1383185A
,2002-12-04
[6]
基于石墨烯的氮化镓外延层剥离方法
[P].
宁静
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宁静
;
贾彦青
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贾彦青
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张进成
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张进成
;
闫朝超
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闫朝超
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王东
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王东
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王博宇
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王博宇
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马佩军
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马佩军
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郝跃
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郝跃
.
中国专利
:CN110265356B
,2019-09-20
[7]
将氮化镓外延层从衬底上剥离的方法
[P].
陈辰
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陈辰
;
宋杰
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宋杰
;
崔周源
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崔周源
.
中国专利
:CN109585615B
,2019-04-05
[8]
一种氮化镓衬底剥离方法
[P].
郭芬
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郭芬
;
苏康
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苏康
;
满宏涛
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满宏涛
;
李拓
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李拓
.
中国专利
:CN114220740B
,2022-03-22
[9]
氮化镓器件
[P].
霍炎
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霍炎
;
谢雷
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谢雷
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谭富耀
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谭富耀
.
中国专利
:CN216488068U
,2022-05-10
[10]
氮化镓器件
[P].
司志伟
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司志伟
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刘宗亮
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刘宗亮
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徐科
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徐科
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中国专利
:CN216084919U
,2022-03-18
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