外延结构的缓冲层的制备方法、氮化镓外延层的制备方法

被引：0

申请号：

CN202210249322.4

申请日：

2022-03-14

公开(公告)号：

CN114743876A

公开(公告)日：

2022-07-12

发明(设计)人：

邢国兵

申请人：

申请人地址：

312000 浙江省绍兴市皋埠镇临江路518号

IPC主分类号：

H01L21335

IPC分类号：

H01L21205 H01L2920 H01L29778

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

顾丹丽

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-07-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/335 申请日:20220314
2022-07-12	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化镓外延层的制备方法及氮化镓外延层 [P].

尹甲运 ;

房玉龙 ;

王波 ;

郭艳敏 ;

张志荣 ;

李佳 ;

芦伟立 .

中国专利 :CN109119333B ,2019-01-01

[2]

一种氮化镓外延层的制备方法及氮化镓外延片结构 [P].

李利哲 ;

刘宗亮 .

中国专利 :CN113643962B ,2021-11-12

[3]

氮化镓外延层的制造方法 [P].

B·比尤蒙特 ;

P·吉巴尔特 ;

J－C·古劳姆 ;

G·纳塔夫 ;

M·维尔 ;

S·哈佛兹 .

中国专利 :CN1279733A ,2001-01-10

[4]

氮化镓外延层 [P].

李克涛 ;

杜晓沨 ;

李宁 ;

张信 .

中国专利 :CN114447096A ,2022-05-06

[5]

一种氮化镓外延层的生长方法以及氮化镓外延层 [P].

王建峰 .

中国专利 :CN117832062A ,2024-04-05

[6]

半极性氮化镓外延层结构以及制备方法 [P].

曾颀尧 ;

邢琨 ;

纪秉夆 ;

汪琼 ;

冷鑫钰 ;

陈柏松 .

中国专利 :CN109449269A ,2019-03-08

[7]

氮化镓功率器件外延层结构及制备方法 [P].

林小坤 ;

邓顺达 ;

杨鸿志 .

中国专利 :CN119767734A ,2025-04-04

[8]

以氮化镓为外延层的半导体器件制备方法 [P].

罗凯 ;

王子荣 ;

康凯 ;

王农华 .

中国专利 :CN119730517B ,2025-10-03

[9]

以氮化镓为外延层的半导体器件制备方法 [P].

罗凯 ;

王子荣 ;

康凯 ;

王农华 .

中国专利 :CN119730517A ,2025-03-28

[10]

一种低应力的氮化镓外延层的制备方法 [P].

曲爽 ;

徐现刚 ;

邵慧慧 ;

王成新 ;

李树强 .

中国专利 :CN102760794A ,2012-10-31

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