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以氮化镓为外延层的半导体器件制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411868773.1
申请日：
2024-12-18
公开(公告)号：
CN119730517A
公开(公告)日：
2025-03-28
发明(设计)人：
罗凯 王子荣 康凯 王农华
申请人：
广东中图半导体科技股份有限公司
申请人地址：
523000 广东省东莞市松山湖高新技术产业开发区工业北二路4号
IPC主分类号：
H10H29/03
IPC分类号：
H10H20/825
代理机构：
北京佳信天和知识产权代理事务所(普通合伙) 11939
代理人：
张通
法律状态：
授权
国省代码：
河北省 保定市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-10-03 授权 授权
2025-04-15 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10H 29/03申请日:20241218
2025-03-28 公开 公开
共 50 条
[1]
以氮化镓为外延层的半导体器件制备方法 [P]. 
罗凯 ;
王子荣 ;
康凯 ;
王农华 .
中国专利 :CN119730517B ,2025-10-03
[2]
氮化镓外延层及半导体器件 [P]. 
林信南 ;
刘美华 ;
刘岩军 .
中国专利 :CN210866192U ,2020-06-26
[3]
氮化镓外延层及半导体器件 [P]. 
林信南 ;
刘美华 ;
刘岩军 .
中国专利 :CN210897292U ,2020-06-30
[4]
氮化镓外延层、半导体器件及所述半导体器件的制备方法 [P]. 
林信南 ;
刘美华 ;
刘岩军 .
中国专利 :CN110620158A ,2019-12-27
[5]
氮化镓外延层、半导体器件及所述半导体器件的制备方法 [P]. 
林信南 ;
刘美华 ;
刘岩军 .
中国专利 :CN110620158B ,2025-06-03
[6]
一种氮化镓外延层、半导体器件及其制备方法 [P]. 
林信南 ;
刘美华 ;
刘岩军 .
中国专利 :CN110620157A ,2019-12-27
[7]
一种氮化镓外延层、半导体器件及其制备方法 [P]. 
林信南 ;
刘美华 ;
刘岩军 .
中国专利 :CN110620157B ,2024-10-25
[8]
一种氮化镓外延层及半导体器件 [P]. 
林信南 ;
刘美华 ;
刘岩军 .
中国专利 :CN210866191U ,2020-06-26
[9]
氮化镓外延层的制备方法及氮化镓外延层 [P]. 
尹甲运 ;
房玉龙 ;
王波 ;
郭艳敏 ;
张志荣 ;
李佳 ;
芦伟立 .
中国专利 :CN109119333B ,2019-01-01
[10]
生长氮化镓的方法、氮化镓外延结构及半导体器件 [P]. 
肖怀曙 ;
谢春林 .
中国专利 :CN108242385A ,2018-07-03
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