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一种氮化镓外延层、半导体器件及其制备方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201910914003.9
申请日：
2019-09-25
公开(公告)号：
CN110620157B
公开(公告)日：
2024-10-25
发明(设计)人：
林信南
刘美华
刘岩军
申请人：
深圳市晶相技术有限公司
申请人地址：
518000 广东省深圳市坪山区坪山街道六和社区招商花园城17栋S1704
IPC主分类号：
H01L29/872
IPC分类号：
H01L29/06
H01L21/328
代理机构：
上海光华专利事务所(普通合伙) 31219
代理人：
王华英
法律状态：
授权
国省代码：
广东省
深圳市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-10-25 | 授权 | 授权 |