氮化镓外延层、半导体器件及所述半导体器件的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910914006.2

申请日：

2019-09-25

公开(公告)号：

CN110620158B

公开(公告)日：

2025-06-03

发明(设计)人：

林信南刘美华刘岩军

申请人：

深圳市晶相技术有限公司

申请人地址：

518000 广东省深圳市坪山区坪山街道六和社区招商花园城17栋S1704

IPC主分类号：

H10D8/60

IPC分类号：

H10D8/01 H10D62/10

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

王华英

法律状态：

授权

国省代码：

广东省深圳市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-03	授权	授权

共 50 条

[1]

氮化镓外延层、半导体器件及所述半导体器件的制备方法 [P].

林信南 ;

刘美华 ;

刘岩军 .

中国专利 :CN110620158A ,2019-12-27

[2]

氮化镓外延层及半导体器件 [P].

林信南 ;

刘美华 ;

刘岩军 .

中国专利 :CN210866192U ,2020-06-26

[3]

氮化镓外延层及半导体器件 [P].

林信南 ;

刘美华 ;

刘岩军 .

中国专利 :CN210897292U ,2020-06-30

[4]

一种氮化镓外延层及半导体器件 [P].

林信南 ;

刘美华 ;

刘岩军 .

中国专利 :CN210866191U ,2020-06-26

[5]

一种氮化镓外延层、半导体器件及其制备方法 [P].

林信南 ;

刘美华 ;

刘岩军 .

中国专利 :CN110620157A ,2019-12-27

[6]

一种氮化镓外延层、半导体器件及其制备方法 [P].

林信南 ;

刘美华 ;

刘岩军 .

中国专利 :CN110620157B ,2024-10-25

[7]

氮化镓半导体器件 [P].

刘美华 ;

林信南 ;

刘岩军 .

中国专利 :CN207116436U ,2018-03-16

[8]

以氮化镓为外延层的半导体器件制备方法 [P].

罗凯 ;

王子荣 ;

康凯 ;

王农华 .

中国专利 :CN119730517B ,2025-10-03

[9]

以氮化镓为外延层的半导体器件制备方法 [P].

罗凯 ;

王子荣 ;

康凯 ;

王农华 .

中国专利 :CN119730517A ,2025-03-28

[10]

氮化镓半导体器件 [P].

陈彦良 ;

大藤彻 ;

谢明达 .

中国专利 :CN209199940U ,2019-08-02

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