一种低应力的氮化镓外延层的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110110546.9

申请日：

2011-04-29

公开(公告)号：

CN102760794A

公开(公告)日：

2012-10-31

发明(设计)人：

曲爽徐现刚邵慧慧王成新李树强

申请人：

申请人地址：

250101 山东省济南市高新区天辰大街1835号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

济南金迪知识产权代理有限公司 37219

代理人：

吕利敏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-10-31	公开	公开
2012-12-26	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101370322999 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2011101105469 申请日:20110429
2020-10-16	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 33/00 登记生效日:20200923 变更事项:专利权人变更前权利人:山东浪潮华光光电子股份有限公司变更后权利人:吴江市民福电缆附件厂变更事项:地址变更前权利人:261061 山东省潍坊市高新区金马路9号变更后权利人:215200 江苏省苏州市吴江区松陵镇开发区夹浦桥堍
2015-12-02	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 33/00 专利号:ZL2011101105469 登记生效日:20151111 变更事项:专利权人变更前权利人:山东华光光电子有限公司变更后权利人:山东浪潮华光光电子股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:250101 山东省济南市高新区天辰大街1835号变更后权利人:261061 山东省潍坊市高新区金马路9号号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101724500330
2015-04-01	授权	授权

共 50 条

[1]

氮化镓外延层的制备方法及氮化镓外延层 [P].

尹甲运 ;

房玉龙 ;

王波 ;

郭艳敏 ;

张志荣 ;

李佳 ;

芦伟立 .

中国专利 :CN109119333B ,2019-01-01

[2]

一种氮化镓外延层的制备方法及氮化镓外延片结构 [P].

李利哲 ;

刘宗亮 .

中国专利 :CN113643962B ,2021-11-12

[3]

一种氮化镓外延层的生长方法以及氮化镓外延层 [P].

王建峰 .

中国专利 :CN117832062A ,2024-04-05

[4]

外延结构的缓冲层的制备方法、氮化镓外延层的制备方法 [P].

邢国兵 .

中国专利 :CN114743876A ,2022-07-12

[5]

氮化镓外延层的制造方法 [P].

B·比尤蒙特 ;

P·吉巴尔特 ;

J－C·古劳姆 ;

G·纳塔夫 ;

M·维尔 ;

S·哈佛兹 .

中国专利 :CN1279733A ,2001-01-10

[6]

硅基氮化镓外延层剥离转移的方法 [P].

赵岩 ;

吴立枢 ;

程伟 ;

石归雄 .

中国专利 :CN103985664A ,2014-08-13

[7]

半极性氮化镓外延层结构以及制备方法 [P].

曾颀尧 ;

邢琨 ;

纪秉夆 ;

汪琼 ;

冷鑫钰 ;

陈柏松 .

中国专利 :CN109449269A ,2019-03-08

[8]

一种在缓冲层上生长氮化镓外延层的方法 [P].

林明金 ;

魏世祯 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN103361719B ,2013-10-23

[9]

以氮化镓为外延层的半导体器件制备方法 [P].

罗凯 ;

王子荣 ;

康凯 ;

王农华 .

中国专利 :CN119730517B ,2025-10-03

[10]

以氮化镓为外延层的半导体器件制备方法 [P].

罗凯 ;

王子荣 ;

康凯 ;

王农华 .

中国专利 :CN119730517A ,2025-03-28

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