生长高质量氮化铟单晶外延膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810101357.3

申请日：

2008-03-05

公开(公告)号：

CN101525740B

公开(公告)日：

2009-09-09

发明(设计)人：

王莉莉张书明杨辉梁骏吾

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

C23C1634

IPC分类号：

C23C1652

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

周国城

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-11-04	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-09-09	公开	公开
2013-04-17	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101442518516 IPC(主分类):C23C 16/34 专利号:ZL2008101013573 申请日:20080305 授权公告日:20110615 终止日期:20120305
2011-06-15	授权	授权

共 50 条

[1]

生长高结晶质量氮化铟单晶外延膜的方法 [P].

肖红领 ;

王晓亮 ;

王军喜 ;

张南红 ;

刘宏新 ;

曾一平 .

中国专利 :CN1704507A ,2005-12-07

[2]

一种生长高质量单晶氮化铟薄膜的方法 [P].

张双翔 ;

蔡建九 ;

张银桥 ;

王向武 .

中国专利 :CN101397693B ,2009-04-01

[3]

生长高阻氮化镓外延膜的方法 [P].

王晓亮 ;

胡国新 ;

王军喜 ;

冉军学 ;

曾一平 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN1704505A ,2005-12-07

[4]

一种生长高结晶氮化铟单晶外延膜的方法 [P].

谢自力 ;

张荣 ;

韩平 ;

修向前 ;

刘斌 ;

李亮 ;

顾书林 ;

江若琏 ;

施毅 ;

朱顺明 ;

胡立群 ;

郑有炓 .

中国专利 :CN1811018A ,2006-08-02

[5]

生长氮化铟单晶薄膜的方法 [P].

王晓亮 ;

肖红领 ;

胡国新 ;

杨翠柏 ;

冉学军 ;

王翠梅 ;

张小宾 ;

李建平 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN100558947C ,2008-07-30

[6]

一种生长AlInN单晶外延膜的方法 [P].

卢国军 ;

朱建军 ;

赵德刚 ;

刘宗顺 ;

张书明 ;

杨辉 .

中国专利 :CN101736398A ,2010-06-16

[7]

一种生长高质量具有双缓冲层的单晶氮化铟薄膜的方法 [P].

张双翔 ;

蔡建九 ;

张银桥 ;

王向武 .

中国专利 :CN101388337A ,2009-03-18

[8]

生长高迁移率氮化镓外延膜的方法 [P].

王晓亮 ;

胡国新 ;

王军喜 ;

李建平 ;

曾一平 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN1704506A ,2005-12-07

[9]

一种改善铟镓氮外延材料表面质量的生长方法 [P].

李亮 ;

罗伟科 .

中国专利 :CN103710757A ,2014-04-09

[10]

在ZnO纳米线表面低温外延生长高质量GaN薄膜的方法 [P].

马宏平 ;

侯欣蓝 ;

张园览 ;

吴帆正树 .

中国专利 :CN112853319A ,2021-05-28

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