生长高结晶质量氮化铟单晶外延膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410046194.5

申请日：

2004-06-02

公开(公告)号：

CN1704507A

公开(公告)日：

2005-12-07

发明(设计)人：

肖红领王晓亮王军喜张南红刘宏新曾一平

申请人：

申请人地址：

100083北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

C30B2502

IPC分类号：

C30B2940 H01L21205

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

汤保平

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-09-12	授权	授权
2014-07-30	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101584054185 IPC(主分类):C30B 25/02 专利号:ZL2004100461945 申请日:20040602 授权公告日:20070912 终止日期:20130602
2005-12-07	公开	公开
2006-02-01	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

生长高质量氮化铟单晶外延膜的方法 [P].

王莉莉 ;

张书明 ;

杨辉 ;

梁骏吾 .

中国专利 :CN101525740B ,2009-09-09

[2]

一种生长高结晶氮化铟单晶外延膜的方法 [P].

谢自力 ;

张荣 ;

韩平 ;

修向前 ;

刘斌 ;

李亮 ;

顾书林 ;

江若琏 ;

施毅 ;

朱顺明 ;

胡立群 ;

郑有炓 .

中国专利 :CN1811018A ,2006-08-02

[3]

一种生长高质量单晶氮化铟薄膜的方法 [P].

张双翔 ;

蔡建九 ;

张银桥 ;

王向武 .

中国专利 :CN101397693B ,2009-04-01

[4]

单晶氮化铟的生长方法 [P].

郭建廷 ;

李方红 ;

常嘉兴 .

中国专利 :CN108977887A ,2018-12-11

[5]

生长氮化铟单晶薄膜的方法 [P].

王晓亮 ;

肖红领 ;

胡国新 ;

杨翠柏 ;

冉学军 ;

王翠梅 ;

张小宾 ;

李建平 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN100558947C ,2008-07-30

[6]

一种生长高质量具有双缓冲层的单晶氮化铟薄膜的方法 [P].

张双翔 ;

蔡建九 ;

张银桥 ;

王向武 .

中国专利 :CN101388337A ,2009-03-18

[7]

生长在铝箔衬底上的氮化铟纳米柱外延片及其制备方法 [P].

高芳亮 ;

李国强 ;

张曙光 ;

温雷 .

中国专利 :CN108206130A ,2018-06-26

[8]

一种生长AlInN单晶外延膜的方法 [P].

卢国军 ;

朱建军 ;

赵德刚 ;

刘宗顺 ;

张书明 ;

杨辉 .

中国专利 :CN101736398A ,2010-06-16

[9]

用等离子体辅助分子束外延以准范德华外延生长高质量ZnO单晶薄膜的方法 [P].

叶志镇 ;

王宁 ;

潘新花 ;

何海平 ;

黄靖云 .

中国专利 :CN111334856B ,2020-06-26

[10]

生长在铝箔衬底上的氮化铟纳米柱外延片 [P].

高芳亮 ;

李国强 ;

张曙光 ;

温雷 .

中国专利 :CN208157359U ,2018-11-27

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