生长在铝箔衬底上的氮化铟纳米柱外延片及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810027240.9

申请日：

2018-01-11

公开(公告)号：

CN108206130A

公开(公告)日：

2018-06-26

发明(设计)人：

高芳亮李国强张曙光温雷

申请人：

申请人地址：

510640 广东省广州市天河区五山路381号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L3332 B82Y3000 B82Y4000

代理机构：

广州市华学知识产权代理有限公司 44245

代理人：

陈智英

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-07-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20180111
2018-06-26	公开	公开

共 50 条

[1]

生长在铝箔衬底上的氮化铟纳米柱外延片 [P].

高芳亮 ;

李国强 ;

张曙光 ;

温雷 .

中国专利 :CN208157359U ,2018-11-27

[2]

生长在铜箔衬底上的InN纳米柱外延片及其制备方法 [P].

高芳亮 ;

李国强 ;

徐珍珠 ;

余粤锋 .

中国专利 :CN108231545A ,2018-06-29

[3]

生长在铜箔衬底上的InN纳米柱外延片 [P].

高芳亮 ;

李国强 ;

徐珍珠 ;

余粤锋 .

中国专利 :CN207834252U ,2018-09-07

[4]

生长在Si衬底上的InN纳米柱外延片及其制备方法 [P].

李国强 ;

高芳亮 ;

温雷 ;

张曙光 ;

徐珍珠 ;

韩晶磊 ;

余粤锋 .

中国专利 :CN106783948A ,2017-05-31

[5]

生长在Si衬底上的InN纳米柱外延片 [P].

李国强 ;

高芳亮 ;

温雷 ;

张曙光 ;

徐珍珠 ;

韩晶磊 ;

余粤锋 .

中国专利 :CN206271710U ,2017-06-20

[6]

生长在硅衬底上的氮化镓纳米柱LED外延片及其制备方法 [P].

李国强 ;

韩晶磊 ;

温雷 ;

高芳亮 .

中国专利 :CN106981549A ,2017-07-25

[7]

生长在Si/石墨烯复合衬底上InN纳米柱外延片及其制备方法 [P].

高芳亮 ;

李国强 ;

徐珍珠 ;

余粤锋 .

中国专利 :CN108735866A ,2018-11-02

[8]

生长在硅衬底上的氮化镓纳米柱LED外延片 [P].

李国强 ;

韩晶磊 ;

温雷 ;

高芳亮 .

中国专利 :CN206697514U ,2017-12-01

[9]

硅/石墨烯复合衬底上外延生长GaN纳米柱及制备方法 [P].

李国强 ;

高芳亮 ;

余粤锋 ;

徐珍珠 .

中国专利 :CN109003888A ,2018-12-14

[10]

生长在Ag衬底上的LED外延片 [P].

李国强 .

中国专利 :CN203895486U ,2014-10-22

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