硅/石墨烯复合衬底上外延生长GaN纳米柱及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810806060.0

申请日：

2018-07-20

公开(公告)号：

CN109003888A

公开(公告)日：

2018-12-14

发明(设计)人：

李国强高芳亮余粤锋徐珍珠

申请人：

申请人地址：

510640 广东省广州市天河区五山路381号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L310304 H01L3332 H01S530

代理机构：

广州市华学知识产权代理有限公司 44245

代理人：

陈智英

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-26	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/02 申请公布日:20181214
2019-01-08	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20180720
2018-12-14	公开	公开

共 50 条

[1]

生长在Si/石墨烯复合衬底上InN纳米柱外延片及其制备方法 [P].

高芳亮 ;

李国强 ;

徐珍珠 ;

余粤锋 .

中国专利 :CN108735866A ,2018-11-02

[2]

生长在硅/石墨烯复合衬底上的GaN基纳米柱LED外延片 [P].

高芳亮 ;

李国强 ;

张曙光 ;

徐珍珠 ;

余粤锋 .

中国专利 :CN208848921U ,2019-05-10

[3]

生长在硅/石墨烯复合衬底上的GaN基纳米柱LED外延片及其制备方法 [P].

高芳亮 ;

李国强 ;

张曙光 ;

徐珍珠 ;

余粤锋 .

中国专利 :CN108807617A ,2018-11-13

[4]

生长在铜箔衬底上的InN纳米柱外延片及其制备方法 [P].

高芳亮 ;

李国强 ;

徐珍珠 ;

余粤锋 .

中国专利 :CN108231545A ,2018-06-29

[5]

生长在硅/石墨烯复合衬底上的InGaN/GaN多量子阱纳米柱 [P].

李国强 ;

高芳亮 ;

张曙光 ;

徐珍珠 ;

余粤锋 .

中国专利 :CN208570525U ,2019-03-01

[6]

生长在硅/石墨烯复合衬底上的InGaN/GaN多量子阱纳米柱及其制备方法 [P].

李国强 ;

高芳亮 ;

张曙光 ;

徐珍珠 ;

余粤锋 .

中国专利 :CN109003883A ,2018-12-14

[7]

生长在铝箔衬底上的氮化铟纳米柱外延片及其制备方法 [P].

高芳亮 ;

李国强 ;

张曙光 ;

温雷 .

中国专利 :CN108206130A ,2018-06-26

[8]

生长在Si衬底上的InN纳米柱外延片及其制备方法 [P].

李国强 ;

高芳亮 ;

温雷 ;

张曙光 ;

徐珍珠 ;

韩晶磊 ;

余粤锋 .

中国专利 :CN106783948A ,2017-05-31

[9]

生长在Si衬底上的InN纳米柱外延片 [P].

李国强 ;

高芳亮 ;

温雷 ;

张曙光 ;

徐珍珠 ;

韩晶磊 ;

余粤锋 .

中国专利 :CN206271710U ,2017-06-20

[10]

生长在铜箔衬底上的InN纳米柱外延片 [P].

高芳亮 ;

李国强 ;

徐珍珠 ;

余粤锋 .

中国专利 :CN207834252U ,2018-09-07

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