单晶氮化铟的生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810806783.0

申请日：

2018-07-20

公开(公告)号：

CN108977887A

公开(公告)日：

2018-12-11

发明(设计)人：

郭建廷李方红常嘉兴

申请人：

申请人地址：

518000 广东省深圳市南山区科苑路金融基地2栋5E

IPC主分类号：

C30B2940

IPC分类号：

C30B2518

代理机构：

深圳市德力知识产权代理事务所 44265

代理人：

林才桂;王中华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-12-11	公开	公开

共 50 条

[1]

生长氮化铟单晶薄膜的方法 [P].

王晓亮 ;

肖红领 ;

胡国新 ;

杨翠柏 ;

冉学军 ;

王翠梅 ;

张小宾 ;

李建平 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN100558947C ,2008-07-30

[2]

砷化铟单晶的生长方法 [P].

李康 ;

苏湛 ;

狄聚青 .

中国专利 :CN119753840A ,2025-04-04

[3]

氮化铟晶体及其生长方法 [P].

李凯 ;

宋文涛 ;

徐耿钊 ;

刘争晖 ;

张春玉 ;

陈科蓓 ;

韩厦 ;

徐科 .

中国专利 :CN113897677A ,2022-01-07

[4]

一种磷化铟单晶的生长方法 [P].

段满龙 .

中国专利 :CN117845330A ,2024-04-09

[5]

生长高结晶质量氮化铟单晶外延膜的方法 [P].

肖红领 ;

王晓亮 ;

王军喜 ;

张南红 ;

刘宏新 ;

曾一平 .

中国专利 :CN1704507A ,2005-12-07

[6]

锗单晶的生长方法 [P].

潘磊 ;

尹士平 ;

郭晨光 ;

狄聚青 ;

申甲 ;

陈杰 ;

黄治成 .

中国专利 :CN118360657A ,2024-07-19

[7]

锗单晶的生长方法 [P].

狄聚青 ;

朱刘 ;

尹士平 ;

胡智向 ;

刘运连 .

中国专利 :CN108277531A ,2018-07-13

[8]

生长高质量氮化铟单晶外延膜的方法 [P].

王莉莉 ;

张书明 ;

杨辉 ;

梁骏吾 .

中国专利 :CN101525740B ,2009-09-09

[9]

锑化铟晶体的生长方法 [P].

潘磊 ;

狄聚青 ;

李镇宏 .

中国专利 :CN118087019A ,2024-05-28

[10]

锑化铟晶体的生长方法 [P].

狄聚青 ;

李镇宏 .

中国专利 :CN118880434A ,2024-11-01

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