锑化铟晶体的生长方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202410959240.8
申请日
2024-07-17
公开(公告)号
CN118880434A
公开(公告)日
2024-11-01
发明(设计)人
狄聚青 李镇宏
申请人
广东晶智光电科技有限公司
申请人地址
511517 广东省清远市高新区百嘉工业园27-9号清远先导材料有限公司C车间一层(自编001号)
IPC主分类号
C30B15/04
IPC分类号
C30B27/02 C30B29/40
代理机构
北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙) 11387
代理人
张向琨
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
锑化铟晶体生长方法 [P]. 
狄聚青 ;
李镇宏 .
中国专利 :CN118880458A ,2024-11-01
[2]
锑化铟晶体的生长方法 [P]. 
潘磊 ;
狄聚青 ;
李镇宏 .
中国专利 :CN118087019A ,2024-05-28
[3]
锑化铟晶体的生长方法 [P]. 
狄聚青 ;
李镇宏 .
中国专利 :CN117587496A ,2024-02-23
[4]
锑化铟晶体生长方法及晶体生长炉 [P]. 
程鹏 ;
程波 ;
陈元瑞 .
中国专利 :CN114318510A ,2022-04-12
[5]
锑化铟晶体生长设备及生长方法 [P]. 
狄聚青 ;
肖溢 ;
李镇宏 .
中国专利 :CN119685921A ,2025-03-25
[6]
锑化镓晶体生长装置以及生长方法 [P]. 
狄聚青 ;
肖溢 ;
李镇宏 .
中国专利 :CN119710895A ,2025-03-28
[7]
籽晶组件以及锑化铟晶体生长的方法 [P]. 
狄聚青 ;
李镇宏 .
中国专利 :CN118814259A ,2024-10-22
[8]
用于锑化铟晶体生长的石英坩埚组件以及生长炉 [P]. 
狄聚青 ;
李镇宏 .
中国专利 :CN222411985U ,2025-01-28
[9]
砷化铟单晶的生长方法 [P]. 
李康 ;
苏湛 ;
狄聚青 .
中国专利 :CN119753840A ,2025-04-04
[10]
一种锑化镓单晶生长方法及锑化镓单晶生长装置 [P]. 
黄晟 ;
黄立 ;
何庆波 ;
刘伟华 ;
严冰 ;
张晓星 .
中国专利 :CN119082847A ,2024-12-06