一种锑化镓单晶生长方法及锑化镓单晶生长装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411188566.1

申请日：

2024-08-28

公开(公告)号：

CN119082847A

公开(公告)日：

2024-12-06

发明(设计)人：

黄晟黄立何庆波刘伟华严冰张晓星

申请人：

武汉高芯科技有限公司

申请人地址：

430205 湖北省武汉市东湖开发区黄龙山南路6号2号楼

IPC主分类号：

C30B15/04

IPC分类号：

C30B29/40

代理机构：

北京汇泽知识产权代理有限公司 11228

代理人：

刘思敏

法律状态：

公开

国省代码：

湖北省武汉市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-06	公开	公开
2024-12-24	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 15/04申请日:20240828

共 50 条

[1]

一种锑化镓单晶生长加热装置 [P].

张建平 ;

石宗军 .

中国专利 :CN222139348U ,2024-12-10

[2]

锑化镓晶体的生长方法 [P].

狄聚青 ;

李镇宏 .

中国专利 :CN117604611A ,2024-02-27

[3]

锑化镓晶体生长装置以及生长方法 [P].

狄聚青 ;

肖溢 ;

李镇宏 .

中国专利 :CN119710895A ,2025-03-28

[4]

直拉法生长锑化镓单晶的方法和装置 [P].

莫培根 ;

谈惠祖 ;

杜立新 ;

范向群 ;

吴巨 .

中国专利 :CN1070009A ,1993-03-17

[5]

一种四英寸锑化镓单晶生长炉 [P].

袁韶阳 ;

于会永 ;

冯佳峰 ;

赵春锋 ;

赵中阳 .

中国专利 :CN117737825A ,2024-03-22

[6]

氧化镓单晶生长方法及单晶生长装置 [P].

裵示永 ;

郑盛民 ;

辛胤沚 ;

具泰勋 ;

申阿兰 .

韩国专利 :CN119956489A ,2025-05-09

[7]

一种砷化镓单晶生长装置及生长方法 [P].

王金灵 ;

周铁军 ;

严卫东 ;

马金峰 .

中国专利 :CN110359095B ,2019-10-22

[8]

锑化铝单晶生长方法 [P].

范江涛 ;

卢伟 ;

沈桂英 ;

赵有文 ;

刘刚 ;

李晨慧 ;

杨文文 ;

吕鑫雨 ;

摆易寒 .

中国专利 :CN120925063A ,2025-11-11

[9]

一种氧化镓单晶的生长装置及氧化镓单晶生长方法 [P].

刘进 .

中国专利 :CN117626405A ,2024-03-01

[10]

氮化镓单晶生长方法 [P].

孟静 .

中国专利 :CN108796611A ,2018-11-13

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