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锑化镓晶体生长装置以及生长方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411756292.1
申请日：
2024-12-03
公开(公告)号：
CN119710895A
公开(公告)日：
2025-03-28
发明(设计)人：
狄聚青 肖溢 李镇宏
申请人：
广东晶智光电科技有限公司
申请人地址：
511517 广东省清远市高新区百嘉工业园27-9号清远先导材料有限公司C车间一层（自编001号）
IPC主分类号：
C30B15/00
IPC分类号：
C30B15/20 C30B27/02 C30B29/40
代理机构：
北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙) 11387
代理人：
张向琨
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-04-15 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C30B 15/00申请日:20241203
2025-03-28 公开 公开
共 50 条
[1]
锑化铟晶体生长方法 [P]. 
狄聚青 ;
李镇宏 .
中国专利 :CN118880458A ,2024-11-01
[2]
氧化镓晶体生长装置及晶体生长方法 [P]. 
张辉 ;
马可可 ;
夏宁 ;
王嘉斌 ;
刘莹莹 ;
杨德仁 .
中国专利 :CN114059162B ,2022-02-18
[3]
锑化镓晶体的生长方法 [P]. 
狄聚青 ;
李镇宏 .
中国专利 :CN117604611A ,2024-02-27
[4]
锑化铟晶体生长方法及晶体生长炉 [P]. 
程鹏 ;
程波 ;
陈元瑞 .
中国专利 :CN114318510A ,2022-04-12
[5]
锑化镓晶体生长除杂装置 [P]. 
郭文斌 ;
徐永宽 ;
李璐杰 ;
张颖武 ;
霍晓青 ;
司华青 ;
张志鹏 ;
练小正 ;
程红娟 .
中国专利 :CN205856650U ,2017-01-04
[6]
晶体生长装置及晶体生长方法 [P]. 
狄聚青 ;
朱刘 ;
赵青松 ;
牛晓东 ;
顾小英 ;
胡智向 .
中国专利 :CN112725890A ,2021-04-30
[7]
晶体生长方法及晶体生长装置 [P]. 
郑燕青 ;
齐凡 ;
孔舒燕 ;
陈志平 ;
赵衡煜 .
中国专利 :CN119121382B ,2025-11-14
[8]
晶体生长装置及晶体生长方法 [P]. 
藤川阳平 .
中国专利 :CN112746315A ,2021-05-04
[9]
晶体生长方法及晶体生长装置 [P]. 
郑燕青 ;
齐凡 ;
孔舒燕 ;
陈志平 ;
赵衡煜 .
中国专利 :CN119121382A ,2024-12-13
[10]
晶体生长装置及晶体生长方法 [P]. 
堀冈佑吉 .
中国专利 :CN102187018A ,2011-09-14
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